N0600N 데이터시트(PDF)

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N0600N 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp

N0600N Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


부품명	N0600N

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제조업체	RENESAS [Renesas Technology Corp]

홈페이지	http://www.renesas.com

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상세설명	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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부품명	N0600N

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제조업체	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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N0600N 제품 세부 정보

Description

The N0600N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on)1= 25 mΩMAX. (VGS=10 V, ID= 15 A)

⎯ RDS(on)2= 36 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 15 A)

• Low input capacitance

⎯ Ciss= 1380 pF TYP. (VDS= 10 V, VGS= 0 V)

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Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

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