2SK3562 데이터시트(PDF) - Toshiba Semiconductor

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2SK3562 데이터시트 (PDF) - Toshiba Semiconductor

2SK3562 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


부품명	2SK3562

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제조업체	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

홈페이지	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

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상세설명	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)

2SK3562 Datasheet (PDF)

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부품명	2SK3562

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제조업체	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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2SK3562 제품 세부 정보

Switching Regulator Applications

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.9Ω (typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0S (typ.)
• Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 600 V)
• Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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