CG2H40010 데이터시트(PDF) - Cree, Inc

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CG2H40010 데이터시트 (PDF) - Cree, Inc

CG2H40010 Datasheet PDF - Cree, Inc


부품명	CG2H40010

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파일 크기	2184.76 Kbytes

페이지	14 Pages

제조업체	CREE [Cree, Inc]

홈페이지	http://www.cree.com/

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상세설명	10 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT

CG2H40010 Datasheet (PDF)

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부품명	CG2H40010

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제조업체	CREE [Cree, Inc]

홈페이지	http://www.cree.com/

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상세설명	10 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT

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CG2H40010 제품 세부 정보

Cree’s CG2H40010 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CG2H40010, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high effciency, high gain and wide bandwidth capabilities making the CG2H40010 ideal for linear and compressed amplifer circuits. The transistor is available in both screw-down, ﬂange and solderdown, pill packages.

FEATURES
• Up to 8 GHz Operation
• 18 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• 16 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
• 17 W typical PSAT
• 70 % Effciency at PSAT
• 28 V Operation

APPLICATIONS
• 2-Way Private Radio
• Broadband Amplifers
• Cellular Infrastructure
• Test Instrumentation
• Class A, AB, Linear amplifers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA waveforms

유사한 부품 번호 - CG2H40010

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
WOLFSPEED, INC.	CG2H40010	1Mb / 14P	10 W, DC - 8 GHz, RF Power GaN HEMT Rev. 2.0, 2022-7-7

유사한 설명 - CG2H40010

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Cree, Inc	CGH40010	948Kb / 12P	10 W, RF Power GaN HEMT Rev 1.4
	CGH40006P	1Mb / 14P	6 W, RF Power GaN HEMT Rev 3.0
	CGH40010	1Mb / 15P	10 W, RF Power GaN HEMT Rev 4.0
	CG2H40045	1Mb / 14P	45 W, DC - 4 GHz RF Power GaN HEMT
WOLFSPEED, INC.	CG2H40010	1Mb / 14P	10 W, DC - 8 GHz, RF Power GaN HEMT Rev. 2.0, 2022-7-7
	CG2H40035	2Mb / 21P	35 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT Rev. 1.0, 2022-7-7
	CGH40006P	3Mb / 14P	6 W, RF Power GaN HEMT Rev. 3.3, 2022-11-1
	CGH40010	1Mb / 16P	10 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT Rev. 4.4, 2022-10-28
	CGH40035	3Mb / 14P	35 W, DC - 4 GHz, RF Power GaN HEMT Rev. 4.2, 2022-11-17
	CGH40045	4Mb / 15P	45 W, DC - 4 GHz RF Power GaN HEMT Rev. 5.0, 2022-8-4

Cree, Inc 에 대하여

Cree, Inc.는 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 장치를 비롯한 와이드 밴드갭 반도체의 설계 및 제조와 LED 조명 및 전력 전자 제품을 전문으로 하는 미국 반도체 회사입니다. 이 회사는 1987년에 설립되었으며 본사는 노스캐롤라이나주 더럼에 있습니다.

Cree의 와이드 밴드갭 반도체는 전력 전자, 자동차, 항공우주 및 방위를 비롯한 다양한 응용 분야에 사용됩니다. 이 회사의 SiC 및 GaN 장치는 고효율, 고전력 밀도 및 높은 작동 온도로 유명하므로 고성능이 중요한 응용 분야에 사용하기에 이상적입니다.

넓은 밴드갭 반도체 제품 외에도 Cree는 주거용, 상업용 및 산업용 조명을 포함한 다양한 응용 분야에 사용되는 전구, 고정 장치 및 칩을 포함한 LED 조명 제품을 제공합니다. Cree의 LED 조명 제품은 고품질, 에너지 효율성 및 긴 수명으로 유명합니다.

Cree는 혁신과 연구 개발에 중점을 두고 있으며 진화하는 고객의 요구 사항을 충족하는 새롭고 혁신적인 제품을 개발하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 이 회사는 미국, 유럽 및 아시아에 사무실과 시설을 두고 전 세계적으로 사업을 영위하고 있으며 전 세계 100개 이상의 국가에서 고객에게 서비스를 제공하고 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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