PTFB193404F 데이터시트(PDF) - Cree, Inc

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PTFB193404F 데이터시트 (PDF) - Cree, Inc

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제조업체	CREE [Cree, Inc]

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상세설명	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 340 W, 30 V, 1930 ??1990 MHz

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제조업체	CREE [Cree, Inc]

홈페이지	http://www.cree.com/

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상세설명	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 340 W, 30 V, 1930 ??1990 MHz

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Cree, Inc	PTFB192503FL	531Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 1930 ??1990 MHz

Cree, Inc 에 대하여

Cree, Inc.는 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 장치를 비롯한 와이드 밴드갭 반도체의 설계 및 제조와 LED 조명 및 전력 전자 제품을 전문으로 하는 미국 반도체 회사입니다. 이 회사는 1987년에 설립되었으며 본사는 노스캐롤라이나주 더럼에 있습니다.

Cree의 와이드 밴드갭 반도체는 전력 전자, 자동차, 항공우주 및 방위를 비롯한 다양한 응용 분야에 사용됩니다. 이 회사의 SiC 및 GaN 장치는 고효율, 고전력 밀도 및 높은 작동 온도로 유명하므로 고성능이 중요한 응용 분야에 사용하기에 이상적입니다.

넓은 밴드갭 반도체 제품 외에도 Cree는 주거용, 상업용 및 산업용 조명을 포함한 다양한 응용 분야에 사용되는 전구, 고정 장치 및 칩을 포함한 LED 조명 제품을 제공합니다. Cree의 LED 조명 제품은 고품질, 에너지 효율성 및 긴 수명으로 유명합니다.

Cree는 혁신과 연구 개발에 중점을 두고 있으며 진화하는 고객의 요구 사항을 충족하는 새롭고 혁신적인 제품을 개발하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 이 회사는 미국, 유럽 및 아시아에 사무실과 시설을 두고 전 세계적으로 사업을 영위하고 있으며 전 세계 100개 이상의 국가에서 고객에게 서비스를 제공하고 있습니다.

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