2N2698 데이터시트(PDF) - Honeywell Solid State Electronics Center

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2N2698 데이터시트 (PDF) - Honeywell Solid State Electronics Center

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2N2698 제품 세부 정보

GENERAL DESCRIPTION
This device is an NPN Triple Diffused Planar Power Transistor packaged in an HD case, designed primarily for switching applications at or below a collector current of 5 amperes.

유사한 부품 번호 - 2N2698

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Seme LAB	2N2696	14Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal
Seme LAB	2N2696CSM	15Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1

유사한 설명 - 2N2698

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Fairchild Semiconductor	FJN13003	49Kb / 5P	NPN Silicon Transistor Planar Silicon Transistor
Micro Electronics	2SC1213A	67Kb / 1P	SILICON TRANSISTOR
Micro Electronics	MPS3569	54Kb / 2P	SILICON TRANSISTOR
NEC	FA1A3Q	161Kb / 4P	SILICON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	KSC5402D	225Kb / 10P	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor
	KSC5603D	115Kb / 5P	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor
	KSC5603DTU	115Kb / 5P	NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor
Renesas Technology Corp	FA1A4Z	282Kb / 6P	SILICON TRANSISTOR 1987
	FA4A4M	521Kb / 24P	SILICON TRANSISTOR 2002
	FN1F4M	304Kb / 6P	SILICON TRANSISTOR 1985

Honeywell Solid State Electronics Center 에 대하여

Honeywell Solid State Electronics Center(SSEC)는 1957년부터 1993년까지 미국 미네소타 주 미니애폴리스에서 운영된 Honeywell Inc.의 연구 개발 시설입니다. 이 센터는 마이크로 전자 공학, 반도체 및 관련 기술을 포함한 고체 전자 제품의 연구, 개발 및 생산에 전념했습니다.

SSEC는 운영 기간 동안 특히 집적 회로, 트랜지스터 설계 및 제조 공정 분야에서 반도체 산업의 발전에 크게 기여했습니다. SSEC의 주목할 만한 성과로는 최초의 실리콘 트랜지스터, 최초의 상용 실리콘 평면 트랜지스터, 금속 산화물 반도체(MOS) 기술을 사용한 최초의 집적 회로 개발이 있습니다.

1993년 Honeywell은 광범위한 운영 구조 조정의 일환으로 SSEC 시설을 폐쇄했습니다. 이후 회사의 반도체 사업부는 1999년에 SGS-Thomson(현 STMicroelectronics)에 매각되었습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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