HVB350BYP 데이터시트(PDF) - Renesas Technology Corp

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HVB350BYP 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp

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상세설명	Silicon Epitaxial Planar Variable Capacitance Diode for VCO

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부품명	HVB350BYP

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제조업체	RENESAS [Renesas Technology Corp]

홈페이지	http://www.renesas.com

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상세설명	Silicon Epitaxial Planar Variable Capacitance Diode for VCO

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유사한 부품 번호 - HVB350BYP

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Anshan Suly Electronics	HVB35-1	298Kb / 3P	HVB Series High Voltage Rectifier Diodes
Anshan Suly Electronics	HVB35-2	298Kb / 3P	HVB Series High Voltage Rectifier Diodes

유사한 설명 - HVB350BYP

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
KEC(Korea Electronics)	KDV239	72Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO)
	KDV239E	70Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO)
	KDV240	386Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO)
	KDV240E	383Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF RADIO)
	KDV245E	383Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF BAND RADIO)
	KDV257E	63Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND)
	KDV273E	63Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO FOR UHF/VHF BAND)
	KDV350	67Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)
	KDV350E	65Kb / 2P	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(VCO)
Toshiba Semiconductor	1SV257	285Kb / 2P	Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO For UHF Ratio

Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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