2SJ356 데이터시트(PDF)

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2SJ356 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp

2SJ356 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


부품명	2SJ356

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제조업체	RENESAS [Renesas Technology Corp]

홈페이지	http://www.renesas.com

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상세설명	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SJ356 제품 세부 정보

P-CHANNEL MOS FET
FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SJ356 is a P-channel MOS FET of a vertical type and is
a switching element that can be directly driven by the output of an
IC operating at 5 V.
This product has a low ON resistance and superb switching
characteristics and is ideal for driving the actuators and DC/DC
converters.

FEATURES
• Can be directly driven by 5-V IC
• Low ON resistance
RDS(on) = 0.95 W MAX. @VGS = –4 V, ID = –1.0 A
RDS(on) = 0.50 W MAX. @VGS = –10 V, ID = –1.0 A

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Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

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