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SCT10N120AG 데이터시트 (PDF) - STMicroelectronics
SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
부품명 SCT10N120AG
다운로드  SCT10N120AG 다운로드
파일 크기   238.62 Kbytes
페이지   14 Pages
제조업체  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
홈페이지  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
상세설명 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG Datasheet (PDF)

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SCT10N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

부품명 SCT10N120AG
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페이지   14 Pages
제조업체  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
홈페이지  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
상세설명 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package

SCT10N120AG 데이터시트 (HTML) - STMicroelectronics


SCT10N120AG 제품 세부 정보

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very tight variation of on-resistance vs. temperature
• Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Motor drives
• EV chargers
• High voltage DC-DC converters
• Switch mode power supplies

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative
properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per
unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s
housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industrystandard
outline with significantly improved thermal capability. These features render
the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.




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STMicroelectronics 에 대하여

Stmicroelectronics는 스위스 제네바에 본사를 둔 다국적 전자 및 반도체 제조업체입니다.

이 회사는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 응용 프로그램을위한 마이크로 컨트롤러, 센서, 전력 증폭기 및 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.

1987 년에 설립 된 Stmicroelectronics는 100 개 이상의 국가에서 운영되고 있으며 세계에서 가장 큰 반도체 회사 중 하나입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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