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NE32984D 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp
NE32984D Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
부품명 NE32984D
다운로드  NE32984D 다운로드
파일 크기   207.1 Kbytes
페이지   14 Pages
제조업체  RENESAS [Renesas Technology Corp]
홈페이지  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
상세설명 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE32984D Datasheet (PDF)

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NE32984D Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

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제조업체  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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상세설명 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE32984D 데이터시트 (HTML) - Renesas Technology Corp


NE32984D 제품 세부 정보

DESCRIPTION
The NE32984D is a Hetero Junction FET that utilizes the
hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent
low noise and high associated gain make it suitable for DBS
and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.40 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length : Lg d 0.20 Pm
• Gate Width : Wg = 200 Pm




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Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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