NX6351GP 데이터시트(PDF)

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NX6351GP 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp

NX6351GP Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


부품명	NX6351GP

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제조업체	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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상세설명	LASER DIODE

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NX6351GP 제품 세부 정보

1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE
FOR 9.8 Gb/s CPRI and 10G E-PON ONU APPLICATION

DESCRIPTION
The NX6351GP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm Multiple
Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser
diode with InGaAs monitor PIN-PD.
APPLICATIONS
• 9.8 Gbps CPRI
• 10G E-PON ONU
FEATURES
• Optical output power PO = 8.5 mW
• Low threshold current Ith = 7 mA
• Differential efficiency ηd = 0.35 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 10.2 mm

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제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
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	NX6351GP27-AZ	938Kb / 6P	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION
	NX6351GP29-AZ	938Kb / 6P	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION
	NX6351GP31-AZ	938Kb / 6P	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION
	NX6351GP33-AZ	938Kb / 6P	1 270/1 290/1 310/1 330/1 350 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 9.8Gbps CPRI, 10G Ethernet APPLICATION

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Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

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