IMT65R083M1H 데이터시트(PDF) - Infineon Technologies AG

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IMT65R083M1H 데이터시트 (PDF) - Infineon Technologies AG

IMT65R083M1H Datasheet PDF - Infineon Technologies AG


부품명	IMT65R083M1H

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제조업체	INFINEON [Infineon Technologies AG]

홈페이지	http://www.infineon.com

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상세설명	MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

IMT65R083M1H Datasheet (PDF)

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부품명	IMT65R083M1H

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제조업체	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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상세설명	MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

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IMT65R083M1H 제품 세부 정보

Features
• Optimized switching behavior at higher currents
• Commutation robust fast body diode with low Qf
• Superior gate oxide reliability
• Tj,max=175°C and excellent thermal behavior
• Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature
• Increased avalanche capability
• Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)
• Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses

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Infineon Technologies AG 에 대하여

Infineon Technologies는 자동차, 산업 및 통신 시스템과 같은 다양한 산업에 전력 관리, 보안 및 제어 솔루션을 제공하는 것을 전문으로하는 글로벌 반도체 제조업체입니다.
이 회사는 1999 년에 설립되었으며 독일 Neubiberg에 본사를두고 있습니다.
Infineon은 마이크로 컨트롤러, 전력 반도체, 센서 및 기타 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.
이 회사는 전 세계 여러 나라의 운영 및 시설을 갖춘 세계 시장에서 강력한 입지를 가지고 있습니다.

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