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STGD4H60DF 데이터시트 (PDF) - STMicroelectronics
STGD4H60DF Datasheet PDF - STMicroelectronics
부품명 STGD4H60DF
다운로드  STGD4H60DF 다운로드
파일 크기   403.33 Kbytes
페이지   18 Pages
제조업체  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
홈페이지  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
상세설명 Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package

STGD4H60DF Datasheet (PDF)

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STGD4H60DF Datasheet PDF - STMicroelectronics

부품명 STGD4H60DF
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페이지   18 Pages
제조업체  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
홈페이지  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
상세설명 Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package

STGD4H60DF 데이터시트 (HTML) - STMicroelectronics


STGD4H60DF 제품 세부 정보

Features
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
• Tight parameter distribution
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Soft and fast recovery antiparallel diode

Applications
• Industrial motor control
• Dishwashers
• Refrigerators and freezers
• Fans

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate
field-stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent
an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize
the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive
VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer
paralleling operation.




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STMicroelectronics 에 대하여

Stmicroelectronics는 스위스 제네바에 본사를 둔 다국적 전자 및 반도체 제조업체입니다.

이 회사는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 응용 프로그램을위한 마이크로 컨트롤러, 센서, 전력 증폭기 및 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.

1987 년에 설립 된 Stmicroelectronics는 100 개 이상의 국가에서 운영되고 있으며 세계에서 가장 큰 반도체 회사 중 하나입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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