NESG220033-A 데이터시트(PDF) - NEC

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NESG220033-A 데이터시트 (PDF) - NEC

NESG220033-A Datasheet PDF - NEC


부품명	NESG220033-A

다운로드	NESG220033-A 다운로드

파일 크기	95.56 Kbytes

페이지	8 Pages

제조업체	NEC [NEC]

홈페이지	http://www.nec.com/

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상세설명	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033-A Datasheet (PDF)

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부품명	NESG220033-A

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제조업체	NEC [NEC]

홈페이지	http://www.nec.com/

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상세설명	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

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NESG220033-A 제품 세부 정보

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin minimold (33 PKG)

유사한 부품 번호 - NESG220033-A

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Renesas Technology Corp	NESG220033-T1B	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

유사한 설명 - NESG220033-A

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	97Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

NEC 에 대하여

NEC Corporation은 일본 다국적 정보 기술 및 전자 회사입니다. 이 회사는 1899 년에 설립되었으며 일본 도쿄에 본사를두고 있습니다. NEC는 정보 기술, 통신 및 전자 제품을 포함한 다양한 제품 및 서비스를 제공합니다. 포트폴리오에는 컴퓨터 하드웨어, 소프트웨어 및 서비스, 네트워크 솔루션, 디스플레이 솔루션 및 엔터프라이즈 서버 및 스토리지 솔루션이 포함됩니다.

NEC는 정보 기술 분야에 대한 전문 지식과 혁신적이고 고품질 제품 및 서비스를 제공하는 능력으로 유명합니다. 이 회사는 전 세계 여러 국가에서 운영 및 시설을 보유하고 있으며 아시아 태평양 지역에서는 강력한 입지를 가지고 있습니다. NEC는 고객과 긴밀히 협력하여 특정 요구 사항과 요구를 충족시키는 맞춤형 솔루션을 제공합니다.

NEC는 핵심 비즈니스 외에도 연구 개발 분야에서 활발하게 활동하고 있으며 인공 지능, 5G 네트워크 및 사물 인터넷 (IoT)과 같은 고급 기술과 관련된 다양한 프로젝트에 참여하고 있습니다. NEC는 사회의 발전을 지원하고 전 세계 사람들의 삶의 질을 향상시키는 지속 가능한 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있습니다.

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