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STPSC406B-TR 데이터시트 (PDF) - STMicroelectronics
STPSC406B-TR Datasheet PDF - STMicroelectronics
부품명 STPSC406B-TR
다운로드  STPSC406B-TR 다운로드
파일 크기   108.2 Kbytes
페이지   8 Pages
제조업체  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
홈페이지  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
상세설명 600 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC406B-TR Datasheet (PDF)

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STPSC406B-TR Datasheet PDF - STMicroelectronics

부품명 STPSC406B-TR
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제조업체  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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상세설명 600 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC406B-TR 데이터시트 (HTML) - STMicroelectronics


STPSC406B-TR 제품 세부 정보

Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Features
■ No or negligible reverse recovery
■ Switching behavior independent of temperature
■ Dedicated to PFC boost diode




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STMicroelectronics 에 대하여

Stmicroelectronics는 스위스 제네바에 본사를 둔 다국적 전자 및 반도체 제조업체입니다.

이 회사는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 응용 프로그램을위한 마이크로 컨트롤러, 센서, 전력 증폭기 및 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.

1987 년에 설립 된 Stmicroelectronics는 100 개 이상의 국가에서 운영되고 있으며 세계에서 가장 큰 반도체 회사 중 하나입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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