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N0600N 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp
N0600N Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
부품명 N0600N
다운로드  N0600N 다운로드
파일 크기   237.64 Kbytes
페이지   8 Pages
제조업체  RENESAS [Renesas Technology Corp]
홈페이지  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
상세설명 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

N0600N Datasheet (PDF)

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N0600N Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

부품명 N0600N
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제조업체  RENESAS [Renesas Technology Corp]
홈페이지  http://www.renesas.com
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상세설명 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

N0600N 데이터시트 (HTML) - Renesas Technology Corp


N0600N 제품 세부 정보

Description

The N0600N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.



Features

•  Low on-state resistance

  ⎯ RDS(on)1= 25 mΩMAX. (VGS=10 V, ID= 15 A)

  ⎯ RDS(on)2= 36 mΩMAX. (VGS= 4.5 V, ID= 15 A)

•  Low input capacitance

  ⎯ Ciss= 1380 pF TYP. (VDS= 10 V, VGS= 0 V)




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Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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