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RJK0230DPA 데이터시트 (PDF) - Renesas Technology Corp
RJK0230DPA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
부품명 RJK0230DPA
다운로드  RJK0230DPA 다운로드
파일 크기   221.64 Kbytes
페이지   11 Pages
제조업체  RENESAS [Renesas Technology Corp]
홈페이지  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
상세설명 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

RJK0230DPA Datasheet (PDF)

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RJK0230DPA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

부품명 RJK0230DPA
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제조업체  RENESAS [Renesas Technology Corp]
홈페이지  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
상세설명 Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

RJK0230DPA 데이터시트 (HTML) - Renesas Technology Corp


RJK0230DPA 제품 세부 정보

Features
• Low on-resistance
• Capable of 4.5 V gate drive
• High density mounting
• Pb-free
• Halogen-free




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Renesas Technology Corp 에 대하여

Renesas Technology Corp는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 애플리케이션을위한 광범위한 마이크로 컨트롤러, 시스템 온 칩 및 아날로그 및 전원 장치를 제공하는 일본의 반도체 회사입니다.
이 회사는 2010 년 NEC Electronics Corporation 및 Renesas Technology Corporation의 합병을 통해 설립되었습니다.
Renesas는 세계 최대의 마이크로 컨트롤러 공급 업체 중 하나이며 사물 인터넷 (IoT), 인공 지능 (AI) 및 자동차 전자 제품과 같은 분야의 고급 기술 개발에 대한 전문 지식으로 유명합니다.
이 회사는 20 개 이상의 국가에서 운영을 보유하고 있으며 제품은 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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