MTP10N10EL 데이터시트(PDF) - Motorola, Inc

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MTP10N10EL 데이터시트 (PDF) - Motorola, Inc

MTP10N10EL Datasheet PDF - Motorola, Inc


부품명	MTP10N10EL

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파일 크기	221.37 Kbytes

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제조업체	MOTOROLA [Motorola, Inc]

홈페이지	http://www.freescale.com

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상세설명	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

MTP10N10EL Datasheet (PDF)

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부품명	MTP10N10EL

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제조업체	MOTOROLA [Motorola, Inc]

홈페이지	http://www.freescale.com

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상세설명	TMOS POWER FET 10 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.22 OHMS

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MTP10N10EL 제품 세부 정보

Logic Level TMOS E-FET™ Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified

• Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode

• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

유사한 부품 번호 - MTP10N10EL

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
ON Semiconductor	MTP10N10EL	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
ON Semiconductor	MTP10N10ELG	107Kb / 8P	Power MOSFET 10 A, 100 V, Logic Level, N?묬hannel TO??20 March, 2005 ??Rev. 4
VBsemi Electronics Co.,...	MTP10N10ELG	937Kb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

유사한 설명 - MTP10N10EL

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Motorola, Inc	MTD6P10E	261Kb / 10P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.66 OHM
	MTD9N10E	257Kb / 10P	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM
	MTP10N40E	249Kb / 8P	TMOS POWER FET 10 AMPERES 400 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHMS
	MTP1N80E	221Kb / 8P	TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS
	MTP2N60E	219Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 3.8 OHMS
	MTP3N50E	251Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
	MTP3N60E	183Kb / 8P	TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
	MTP6N60E	156Kb / 8P	TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 1.2 OHMS
	MTP7N20E	223Kb / 8P	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 200 VOLTS RDS(on) = 0.70 OHMS
	MTY100N10E	216Kb / 8P	TMOS POWER FET 100 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.011 OHM

Motorola, Inc 에 대하여

Motorola, Inc.는 1928 년에 설립 된 미국 다국적 통신 회사였습니다. 일리노이 주 샴 버그에 본사를두고 휴대 전화, 통신 장비 및 반도체의 가장 큰 공급 업체 중 하나였습니다. Motorola는 역사를 통해 세계 최초의 상업적으로 이용 가능한 휴대 전화, Dynatac 및 세계 최초의 양방향 호출기 인 Pageboy의 개발을 포함하여 통신 분야의 혁신으로 유명했습니다.

2011 년 Motorola는 Motorola Mobility와 Motorola Solutions의 두 회사로 나뉘 었습니다. Motorola Mobility는 나중에 2012 년 Google에 의해 인수되었으며 현재 Lenovo의 자회사입니다. Motorola Solutions는 공공 안전 및 상업 및 산업 커뮤니케이션 솔루션에 중점을 둡니다. 이 회사는 양방향 라디오, 모바일 컴퓨팅 장치 및 네트워크 인프라 장비를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.

모토로라는 휴대폰 산업의 개척자 중 한 명이며 혁신과 기술 발전의 풍부한 역사를 가지고 있습니다. 이 회사의 유산은 자회사를 통해 계속되고 있으며 기술과 제품은 전 세계적으로 계속 사용되고 있습니다.

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