IRF9510 데이터시트(PDF)

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IRF9510 데이터시트 (PDF) - Intersil Corporation

IRF9510 Datasheet PDF - Intersil Corporation


부품명	IRF9510

다운로드	IRF9510 다운로드

파일 크기	59.48 Kbytes

페이지	7 Pages

제조업체	INTERSIL [Intersil Corporation]

홈페이지	http://www.intersil.com/cda/home

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상세설명	3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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부품명	IRF9510

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페이지	7 Pages

제조업체	INTERSIL [Intersil Corporation]

홈페이지	http://www.intersil.com/cda/home

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상세설명	3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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IRF9510 제품 세부 정보

This P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is an advanced power MOSFET designed, tested and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 3.0A, 100V
• rDS(ON) = 1.200Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance

유사한 부품 번호 - IRF9510

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
International Rectifier	IRF9510	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A)
Vishay Siliconix	IRF9510	1Mb / 8P	Power MOSFET 20-Jun-08
Kersemi Electronic Co.,...	IRF9510	4Mb / 7P	Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF9510	278Kb / 9P	Power MOSFET 21-Mar-11
Vishay Siliconix	IRF9510	158Kb / 8P	Power MOSFET 16-Aug-2021

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유사한 설명 - IRF9510

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Intersil Corporation	IRF9130	58Kb / 7P	-12A, -100V, 0.30 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
	IRF9150	57Kb / 7P	-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
	IRF9520	57Kb / 7P	6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFBC40	55Kb / 7P	6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD9110	54Kb / 6P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD9120	52Kb / 6P	1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFR9110	62Kb / 7P	3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs July 1999
	RFL1N08	30Kb / 4P	1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs September 1998
	RFL1N10L	29Kb / 5P	1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET September 1998
Fairchild Semiconductor	IRFD9110	93Kb / 7P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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Intersil Corporation 에 대하여

Intersil Corporation은 고성능 아날로그 및 혼합 신호 통합 회로의 설계 및 제조를 전문으로하는 미국 반도체 회사였습니다.
이 회사는 1967 년에 설립되었으며 전력 관리, 데이터 변환 및 RF (Radio Frequency) 기술에 대한 전문 지식으로 유명했습니다.
Intersil의 제품은 소비자 전자 장치, 산업, 통신 및 항공 우주 및 방어와 같은 광범위한 응용 분야에서 사용되었습니다.
2016 년 Intersil은 일본 반도체 회사 인 Renesas Electronics Corporation에 의해 인수되었습니다.
Intersil 브랜드 및 기술은 Renesas의 제품 포트폴리오의 일부로 계속 개발 및 판매되고 있습니다.

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