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F1010N 데이터시트 (PDF) - International Rectifier
F1010N Datasheet PDF - International Rectifier
부품명 F1010N
다운로드  F1010N 다운로드
파일 크기   211.92 Kbytes
페이지   8 Pages
제조업체  IRF [International Rectifier]
홈페이지  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
상세설명 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A??

F1010N Datasheet (PDF)

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F1010N Datasheet PDF - International Rectifier

부품명 F1010N
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제조업체  IRF [International Rectifier]
홈페이지  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
상세설명 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=11mohm, Id=85A??

F1010N 데이터시트 (HTML) - International Rectifier


F1010N 제품 세부 정보

VDSS = 55V

RDS(on) = 11mΩ

ID = 85A‡



Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.



Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated




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International Rectifier 에 대하여

International Rectifier (IR) 는 전력 관리 및 전력 관리 반도체 설계 및 제조를 전문으로하는 미국 회사였습니다.
이 회사는 1947 년에 설립되었으며 캘리포니아 엘 세군도에 본사를 두었습니다.
IR은 전력 관리 IC, 전력 MOSFET, IGBT 및 기타 전력 제어 제품을 포함한 다양한 제품을 제공했습니다.
이 회사의 제품은 컴퓨팅, 통신 및 산업 자동화와 같은 다양한 응용 프로그램에 사용되었습니다.
IR은 전력 관리 및 제어 기술에 대한 전문 지식과 고품질의 안정적인 제품을 고객에게 제공하는 능력으로 유명했습니다.
2014 년 IR은 전력 관리 및 제어 제품 및 기타 반도체 솔루션의 선도적 인 공급 업체 인 Infineon Technologies에 의해 인수되었습니다.
국제 정류기 브랜드는 더 이상 사용되지 않지만 기술과 제품은 계속 Infineon의 포트폴리오의 일부입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.




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