IRF1310S 데이터시트(PDF) - International Rectifier

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IRF1310S 데이터시트 (PDF) - International Rectifier

IRF1310S Datasheet PDF - International Rectifier


부품명	IRF1310S

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파일 크기	361.9 Kbytes

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제조업체	IRF [International Rectifier]

홈페이지	http://www.irf.com

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상세설명	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

IRF1310S Datasheet (PDF)

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부품명	IRF1310S

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페이지	8 Pages

제조업체	IRF [International Rectifier]

홈페이지	http://www.irf.com

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상세설명	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

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IRF1310S 제품 세부 정보

VDSS = 100V
RDS(on) = 0.04Ω
ID = 41A

Description
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● 175°C Operating Temperature

유사한 부품 번호 - IRF1310S

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
International Rectifier	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Inchange Semiconductor ...	IRF1310N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NL	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF1310NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF1310NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor

유사한 설명 - IRF1310S

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	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3515S	126Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFB41N15D	193Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRFI1310G	361Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
	IRFIZ34N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
	IRFP260N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

International Rectifier 에 대하여

International Rectifier (IR) 는 전력 관리 및 전력 관리 반도체 설계 및 제조를 전문으로하는 미국 회사였습니다.
이 회사는 1947 년에 설립되었으며 캘리포니아 엘 세군도에 본사를 두었습니다.
IR은 전력 관리 IC, 전력 MOSFET, IGBT 및 기타 전력 제어 제품을 포함한 다양한 제품을 제공했습니다.
이 회사의 제품은 컴퓨팅, 통신 및 산업 자동화와 같은 다양한 응용 프로그램에 사용되었습니다.
IR은 전력 관리 및 제어 기술에 대한 전문 지식과 고품질의 안정적인 제품을 고객에게 제공하는 능력으로 유명했습니다.
2014 년 IR은 전력 관리 및 제어 제품 및 기타 반도체 솔루션의 선도적 인 공급 업체 인 Infineon Technologies에 의해 인수되었습니다.
국제 정류기 브랜드는 더 이상 사용되지 않지만 기술과 제품은 계속 Infineon의 포트폴리오의 일부입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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