VF20120SG 데이터시트(PDF) - Vishay Siliconix

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VF20120SG 데이터시트 (PDF) - Vishay Siliconix

VF20120SG Datasheet PDF - Vishay Siliconix


부품명	VF20120SG

다운로드	VF20120SG 다운로드

파일 크기	164.09 Kbytes

페이지	5 Pages

제조업체	VISHAY [Vishay Siliconix]

홈페이지	http://www.vishay.com

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상세설명	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

VF20120SG Datasheet (PDF)

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부품명	VF20120SG

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페이지	5 Pages

제조업체	VISHAY [Vishay Siliconix]

홈페이지	http://www.vishay.com

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상세설명	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

VF20120SG 데이터시트 (HTML) - Vishay Siliconix

VF20120SG 제품 세부 정보

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,
per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

유사한 부품 번호 - VF20120SG

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Vishay Siliconix	VF20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF20120SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	VF20120SG	78Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 10-Nov-10
	VF20120SG	126Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Mar-18
	VF20120SG-E3	161Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Dec-16

유사한 설명 - VF20120SG

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Vishay Siliconix	V20100SG	160Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 19-Oct-07
	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20100R	151Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB20120SG-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB20120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13

Vishay Siliconix 에 대하여

Vishay Siliconix는 수동 전자 구성 요소의 글로벌 제조업체 인 Vishay Intertechnology의 자회사입니다.
Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, IGBT 및 기타 전력 반도체의 설계, 제조 및 마케팅을 전문으로합니다.
이 회사는 1962 년에 설립되었으며 캘리포니아 산타 클라라에 본사를두고 있습니다.
Vishay Siliconix는 재생 에너지 시스템, 산업 장비, 컴퓨팅 및 통신, 자동차 전자 제품을 포함한 다양한 응용 분야를위한 전력 솔루션을 제공합니다.
이 회사의 제품은 고효율, 저전력 소비 및 높은 신뢰성을 위해 설계되었으며 고급 제조 공정을 사용하여 최첨단 시설에서 제조됩니다.
Vishay Siliconix는 혁신 및 고객 만족도에 중점을 둔 고객에게 최고의 전력 관리 솔루션을 제공하기 위해 고객에게 자신의 요구를 충족시키기 위해 노력하고 있습니다.

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