IRF530 데이터시트(PDF) - ON Semiconductor

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IRF530 데이터시트 (PDF) - ON Semiconductor

IRF530 Datasheet PDF - ON Semiconductor


부품명	IRF530

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제조업체	ONSEMI [ON Semiconductor]

홈페이지	http://www.onsemi.com

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상세설명	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

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IRF530 Datasheet PDF - ON Semiconductor


부품명	IRF530

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제조업체	ONSEMI [ON Semiconductor]

홈페이지	http://www.onsemi.com

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상세설명	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate

IRF530 데이터시트 (HTML) - ON Semiconductor

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IRF530 제품 세부 정보

TMOS E−FET.™ Power Field Effect Transistor
N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters, and PWM motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating area are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

• Avalanche Energy Specified
• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

유사한 부품 번호 - IRF530

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Motorola, Inc	IRF530	157Kb / 2P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF530	47Kb / 3P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Jun-1988
Transys Electronics	IRF530	481Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
Samsung semiconductor	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
Fairchild Semiconductor	IRF530	180Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V

유사한 설명 - IRF530

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
ON Semiconductor	MTD6N15T4G	125Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate May, 2013 ??Rev. 5
	NTP30N20G	164Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode TO??20 March, 2006 ??Rev. 5
	NTB35N15T4G	86Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 5
	NTB13N10T4G	83Kb / 8P	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK August, 2005 ??Rev. 6
	MTP10N40E	234Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP2N40E	213Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 1
	MTP3N50E	236Kb / 8P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2
	NTMS4P01R2	232Kb / 8P	P?묬hannel Enhancement?묺ode Power MOSFET August, 2006 ??Rev. 1
	NTLTD7900N	82Kb / 6P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate October, 2005 ??Rev. 1
	NTP22N06	200Kb / 7P	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate August, 2006 ??Rev. 2

ON Semiconductor 에 대하여

ON Semiconductor는 자동차, 컴퓨팅, 소비재, 산업 및 통신 시장을 포함한 다양한 응용 분야를 위한 광범위한 반도체 제품을 설계, 개발 및 제조하는 상장 회사입니다.
이 회사는 1999년에 설립되었으며 애리조나주 피닉스에 본사가 있습니다.
ON Semiconductor는 무엇보다도 전력 MOSFET, 다이오드, 정류기, 전압 조정기를 포함하여 전력 관리, 아날로그 및 이산 반도체의 광범위한 포트폴리오를 제공합니다.
이 회사의 제품은 에너지 효율적이고 안정적이며 비용 효율적이도록 설계되었으며 휴대용 전자 장치, 산업 자동화 시스템, 재생 에너지 시스템 및 자동차 전자 장치를 비롯한 다양한 응용 분야에 사용됩니다.
ON Semiconductor는 혁신과 고객 만족에 전념하고 있으며 고객의 요구를 충족하는 최고의 반도체 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

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