PTAC210802FC 데이터시트(PDF) - Infineon Technologies AG

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PTAC210802FC 데이터시트 (PDF) - Infineon Technologies AG

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제조업체	INFINEON [Infineon Technologies AG]

홈페이지	http://www.infineon.com

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상세설명	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

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제조업체	INFINEON [Infineon Technologies AG]

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상세설명	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

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유사한 부품 번호 - PTAC210802FC

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Infineon Technologies A...	PTAC210802FC	316Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET Rev. 04, 2014-05-14
Cree, Inc	PTAC210802FC	719Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz

유사한 설명 - PTAC210802FC

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Infineon Technologies A...	PXFC211507SC	201Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 02, 2015-03-03
	PTFB213208FV	221Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 02, 2012-07-03
	PTFB212507SH	193Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 03, 2015-10-30
	PXAD214218FV	391Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 02.2, 2017-03-30
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	PTFB210801FA	636Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
	PTFB213208FV	659Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 - 2170 MHz
	PXFE211507FC	587Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
WOLFSPEED, INC.	PXAD214218FV	524Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz Rev. 04, 2023-06-23
WOLFSPEED, INC.	PXFE211507FC	763Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz Rev. 04, 2023-06-28

Infineon Technologies AG 에 대하여

Infineon Technologies는 자동차, 산업 및 통신 시스템과 같은 다양한 산업에 전력 관리, 보안 및 제어 솔루션을 제공하는 것을 전문으로하는 글로벌 반도체 제조업체입니다.
이 회사는 1999 년에 설립되었으며 독일 Neubiberg에 본사를두고 있습니다.
Infineon은 마이크로 컨트롤러, 전력 반도체, 센서 및 기타 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.
이 회사는 전 세계 여러 나라의 운영 및 시설을 갖춘 세계 시장에서 강력한 입지를 가지고 있습니다.

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