STD13NM60N 데이터시트(PDF)

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STD13NM60N 데이터시트 (PDF) - STMicroelectronics

STD13NM60N Datasheet PDF - STMicroelectronics


부품명	STD13NM60N

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제조업체	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

홈페이지	http://www.st.com

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상세설명	Low gate input resistance

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부품명	STD13NM60N

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제조업체	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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STD13NM60N 제품 세부 정보

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Applications
• Switching applications

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STMicroelectronics	STD13NM60ND	1Mb / 21P	N-channel 600 V, 0.32 typ., 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in DPAK 15-May-2013
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STMicroelectronics 에 대하여

Stmicroelectronics는 스위스 제네바에 본사를 둔 다국적 전자 및 반도체 제조업체입니다.

이 회사는 자동차, 산업 및 소비자 시장의 다양한 응용 프로그램을위한 마이크로 컨트롤러, 센서, 전력 증폭기 및 통합 회로를 포함한 다양한 제품을 제공합니다.

1987 년에 설립 된 Stmicroelectronics는 100 개 이상의 국가에서 운영되고 있으며 세계에서 가장 큰 반도체 회사 중 하나입니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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