VSMY99445DS 데이터시트(PDF) - Vishay Siliconix

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VSMY99445DS 데이터시트 (PDF) - Vishay Siliconix

VSMY99445DS Datasheet PDF - Vishay Siliconix


부품명	VSMY99445DS

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제조업체	VISHAY [Vishay Siliconix]

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상세설명	High Power Infrared Emitting Diode

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상세설명	High Power Infrared Emitting Diode

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VSMY99445DS 제품 세부 정보

• Package type: surface mount
• Double stack technology
• Package form: high power SMD with lens
• Dimensions (L x W x H in mm): 3.85 x 3.85 x 2.24
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• Zener diode for ESD protection up to 2 kV
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 45°
• Designed for high drive currents: up to 1 A (DC) and up
to 5 A pulses
• Low thermal resistance: RthJP = 10 K/W
• Floor life: 168 h, MSL 3, acc. J-STD-020
• Lead (Pb)-free reflow soldering

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Vishay Siliconix 에 대하여

Vishay Siliconix는 수동 전자 구성 요소의 글로벌 제조업체 인 Vishay Intertechnology의 자회사입니다.
Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, IGBT 및 기타 전력 반도체의 설계, 제조 및 마케팅을 전문으로합니다.
이 회사는 1962 년에 설립되었으며 캘리포니아 산타 클라라에 본사를두고 있습니다.
Vishay Siliconix는 재생 에너지 시스템, 산업 장비, 컴퓨팅 및 통신, 자동차 전자 제품을 포함한 다양한 응용 분야를위한 전력 솔루션을 제공합니다.
이 회사의 제품은 고효율, 저전력 소비 및 높은 신뢰성을 위해 설계되었으며 고급 제조 공정을 사용하여 최첨단 시설에서 제조됩니다.
Vishay Siliconix는 혁신 및 고객 만족도에 중점을 둔 고객에게 최고의 전력 관리 솔루션을 제공하기 위해 고객에게 자신의 요구를 충족시키기 위해 노력하고 있습니다.

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