MMFTN138

Characteristics

Kennwerte

Min.

Typ.

Max.

Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom

–

–

± 100 nA

Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung

0.8 V

–

1.6 V

Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand

–

–

3.5 Ω

6 Ω

Forward Transconductance – Übertragungssteilheit

0.12 S

–

–

Input Capacitance – Eingangskapazität

–

60 pF

–

Output Capacitance – Ausgangskapazität

–

25 pF

–

Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität

–

10 pF

–

Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung

–

–

8 ns

Turn-On Rise Time – Anstiegszeit

–

–

12 ns

Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung

–

–

16 ns

Turn-Off Fall Time – Abfallzeit

–

–

22 ns

Drain-Source Diode Forward Voltage – Drain-Source Diode Fluss-Spg.

–

–

1.4 V

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

< 350 K/W 1)

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Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

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