MMFTN170 datasheet(2/2 Pages) DIOTEC

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MMFTN170

Characteristics

Kennwerte

Tj = 25°C

Min.

Typ.

Max.

Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung

VGS = VDS, ID = 1 mA

VGS(th)

0.8 V

–

3 V

Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand

VGS = 10 V, ID = 200 mA

RDS(on)

–

5 Ω

Forward Transconductance – Übertragungssteilheit

VDS > 2 VDS(on), ID = 200 mA

gFS

–

320 mS

–

Input Capacitance – Eingangskapazität

VDS = 10 V, f = 1 MHz

Ciss

–

40 pF

–

Output Capacitance – Ausgangskapazität

VDS = 10 V, f = 1 MHz

Coss

–

30 pF

–

Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität

VDS = 10 V, f = 1 MHz

Crss

–

10 pF

–

Turn-On Time – Einschaltzeit

VDD = 25 V, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω

td(on)

–

10 ns

Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung

VDD = 25 V, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω

td(off)

–

10 ns

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung

RthA

< 500 K/W 1)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

MMFTN170 데이터시트(PDF) 2 Page - Diotec Semiconductor

MMFTN170 데이터시트(HTML) 2 Page - Diotec Semiconductor

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