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HT3540S

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单节锂离子电池充电管理

www.hotchip.com.cn

Ver1.0

电气特性参数（除特殊说明外，所有参数均在室温 25℃下测得，并以 GND 端电位为 0 电位）

参数名称

参数符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

输入电压

VDD

－

4.75

－

饱和截止电压

VDD=5V

4.18

4.23

4.30

充电恢复电压

VDD=5V

4.10

4.18

4.25

预充电电流

ICHARGE1

VDD=5V, VBAT<2.3V (典型值)

充电电流

ICHARGE2

VDD=5V, VBAT=3.6V

200

400

－

短路检测

VSHORT

VDD=5V, VBAT: 1V→0.2V

－

振荡频率

FOSC

VDD=5V,

VBAT=3.6V,VSEL=VDD

－

静电保护

ESD

人体模型

2000

－

过温保护

OTP

VDD=5V

－

150

－

℃

过温恢复

OTR

VDD=5V

－

130

－

℃

PCB 设计指引

在设计 HT3540 PCB 时，需要遵循以下指南：

VDD 的旁路电容需要紧靠芯片 VDD 和 GND 引脚;

Vbat 的旁路电容需要紧靠芯片 Vbat 和 GND 引脚;

静电防护措施

CMOS

电路为静电敏感器件，在生产、运输过程中需采取下面的预防措施，可以有效防止 CMOS

电路由于受静电放电影响而引起的损坏；

1．

操作人员要通过放静电腕带接地；

2．

生产设备外壳必须接地；

3．

装配过程中使用的工具必须接地；

4．

必须采用半导体包装或抗静电材料包装或运输.

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