HM2467 datasheet(7/10 Pages) HMSEMI

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电特性参数

如无特殊规定，TA=25℃

符号

参数

测试条件

最小

典型

最大

单位

电源电压(VM,VCC)

VM 电流

IVM1

关断模式下 VM 电流

VM=5V ; VCC=3V; 无 PWM

关断模式

µA

IVM2

正/反转模式下 VM 电流

VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM

正/反转模式

350

µA

IVM3

刹车模式下 VM 电流

VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM

刹车模式

µA

IVM4

PWM 输入时 VM 电流

VM=5V ; VCC=3V

PWM=50KHz

280

µA

IVMQ

休眠模式下 VM 电流

VM=5V ; VCC=3V nSLEEP=0

VCC 电流

IVCC1

关断模式下 VCC 电流

VM=5V ; VCC=3V; 无 PWM

关断模式

380

µA

IVCC2

正/反转模式下 VCC 电流

VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM

正/反转模式

500

µA

IVCC3

刹车模式下 VCC 电流

VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM

刹车模式

550

µA

IVCC4

PWM 输入时 VCC 电流

VM=5V ; VCC=3V

PWM=50KHz

450

µA

IVCCQ

休眠模式下 VCC 电流

VM=5V ; VCC=3V nSLEEP=0

逻辑输入 (IN1, IN2, nSLEEP)

VIL

输入逻辑低电平

0.3*VCC

VIH

输入逻辑高电平

0.5*VCC

IIL

逻辑低电平输入的电流

VIN=0V

µA

IIH

逻辑高电平输入的电流

VIN=3.3V

µA

RPD

下拉电阻

IN1 IN2 nSLEEP

100

马达驱动输出 (OUT1, OUT2)

rDS(ON)

上臂+下臂 MOS 阻抗

VM=5V ; VCC=3V ;

Io=800mA ; Tj=25℃

IOFF

关断状态下漏电流

VOUT=0V

保护功能

VUVLO

VCC 欠压锁定

VCC 下降

1.6

VCC 上升

1.8

IOCP

过流保护触发点

1.2

tRETRY

过流保护恢复时间

TTSD

过温保护温度点

芯片温度

160

℃

HM2467 데이터시트(PDF) 7 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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