HM8261 datasheet(4/12 Pages) HMSEMI

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充电器检测电压的测定仅限于过放电滞后

VHD≠0的产品。

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2逐渐降至VCO = “H”→“L”时，VM－VSS间电压即为异常充电电流

检测电压。异常充电电流检测电压和充电器检测电压

(VCHA) 为相同值。

(5) 测定条件5、测定电路2

(通常工作时消耗电流、休眠时消耗电流、过放电时消耗电流)

<备有休眠功能的产品>

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态(通常状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为通常工作时消耗电流(IOPE)。

在

V1 = V2 = 1.5 V设定后的状态(过放电状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为休眠时消耗电流(IPDN)。

<无休眠功能的产品>

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态(通常状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为通常工作时消耗电流(IOPE)。

在

V1 = V2 = 1.5 V设定后的状态(过放电状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为过放电时消耗电流(IOPED)。

(6) 测定条件6、测定电路3

(VM－VDD间内部电阻、VM－VSS间内部电阻)

在

V1 = 1.8 V、V2 = 0 V设定后的状态下，VM－VDD间电阻即为VM－VDD间内部电阻(RVMD)。

在

V1 = 3.5 V、V2 = 1.0 V设定后的状态下，VM－VSS间电阻即为VM－VSS间内部电阻(RVMS)。

(7) 测定条件7、测定电路4

(CO端子“H”电阻、CO端子“L”电阻)

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V、V3 = 3.0 V设定后的状态下，CO端子电阻即为CO端子H电阻(RCOH)。

在

V1 = 4.5 V、V2 = 0 V、V3 = 0.5 V设定后的状态下，CO端子电阻即为CO端子L电阻(RCOL)。

(8) 测定条件8、测定电路4

(DO端子电阻“H”、DO端子电阻“L”)

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V、V4 = 3.0 V设定后的状态下，DO端子电阻即为DO端子H电阻(RDOH)。

在

V1 = 1.8 V、V2 = 0 V、V4 = 0.5 V设定后的状态下，DO端子电阻即为DO端子L电阻(RDOL)。

(9) 测定条件9、测定电路5

(过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间)

在

V2 = 0 V设定后的状态下，将V1从过充电检测电压(VCU)−0.2 V在瞬间(10 μs以内)升至过充电检测电压

(VCU)+0.2V，VCO在“H”→“L”的时间即为过充电检测延迟时间(tCU)。

在

V2 = 0 V设定后的状态下，将V1从过放电检测电压(VDL)+0.2 V在瞬间(10 μs以内)降至过放电检测电压(VDL)

－

0.2V，VDO在“H”→“L”的时间即为过放电检测延迟时间(tDL)。

(10) 测定条件10、测定电路5

(过电流1检测延迟时间、过电流2检测延迟时间、负载短路检测延迟时间、异常充电电流检测延迟时间)

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0V瞬间(10 μs以内)升至0.35 V，VDO成为“L”的时间即为过

电流

1检测延迟时间(tIOV1)。

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0V瞬间(10 μs以内)升至0.7 V，VDO成为“L”的时间即为过电

流

2检测延迟时间(tIOV2)。

在

V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0V瞬间(10 μs以内)升至1.6 V，VDO成为“L”的时间即为负载

HM8261

单节锂电池保护

HM8261 데이터시트(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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