HM5032 datasheet(4/13 Pages) HMSEMI

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管脚描述：

序号

名称

功能描述

STAT

充电状态指示输出端。

CMOS输出端，当此管脚为高电平时，表示充电器

处于充电状态；当此管脚为低电平时，表示充电器处于充电结束状态。

芯片使能输入端。高输入电平将使

HM5032处于正常工作状态；低输入电平

使

HM5032处于被禁止状态。

CE管脚可以被TTL电平或者CMOS电平驱动。

BAT

电池电压反馈输入端。此管脚直接连接到电池正极以检测电池电压。

GND

电源地。输入电源和电池的负极。

LDRV

片外

N沟道功率管栅极驱动端。连接到外部N沟道场效应晶体管（MOSFET）

的栅极。

HDRV

片外

P沟道功率管栅极驱动端。连接到外部P沟道场效应晶体管（MOSFET）

的栅极。

当不需要考虑电池电压过低保护或者电池端短路保护时，不需要使用外部

的

P沟道场效应晶体管，此管脚悬空即可。

VIN

电源正输入端。

VIN管脚为HM5032内部电路提供工作电源，同时也是电感

电流

(输入电流)检测的正输入端。

CSN

电感电流检测负输入端。在

VIN管脚和CSN管脚之间接一个电流检测电阻

RCS，用以检测电感电流 (输入电流)。正常工作时，(VIN－CSN)的上限为

125毫伏(典型值)，下限为85毫伏(典型值)。

极限参数

VIN，CSN 和 CE 管脚电压…….…－0.3V to 6.5V

最大结温

………..…........................………...150℃

BAT 管脚电压……………….....……－0.3V to 18V

工作温度范围

…..............................－40℃ to 85℃

CSN 与 VIN 管脚电压…………..…－0.3V to 0.3V

存储温度

…………….……….......－65℃ to 150℃

STAT，LDRV 和 HDRV 管脚电压.. －0.3V to VIN

焊接温度

(10 秒)………….....................…...260℃

超出以上所列的极限参数可能造成器件的永久损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下

工作，器件的技术指标将得不到保证，长期在这种条件下还会影响器件的可靠性。

HM5032 데이터시트(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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