HM5413 datasheet(4/22 Pages) HMSEMI

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SOT-23-6 封装

表

2、电气参数选择表

过充电检测

电压

过充电释

放电压

过放电检

测电压

过放电释

放电压

放电过流

检测电压

充电过流

检测电压

延迟时间

代码

特性代码

参数

型号

VCU

VCR

VDL

VDR

VDIP

VCIP

M5413-AB

4.280V

4.080V

2.30V

125mV

-100mV

M5413-BB

4.325V

4.125V

2.50V

2.80V

150mV

-100mV

M5413-CB

4.275V

4.075V

2.30V

150mV

-100mV

M5413-DB

4.275V

4.175V

2.30V

2.40V

100mV

-100mV

M5413-EB

4.300V

4.100V

2.30V

250mV

-100mV

M5413-FB

4.250V

4.050V

2.50V

2.80V

200mV

-100mV

M5413-GB

4.280V

4.080V

3.00V

75mV

-100mV

M5413-HB

4.280V

2.80V

50mV

-50mV

M5413-IB

4.190V

2.70V

3.00V

100mV

-40mV

M5413-LB

4.200V

2.50V

150mV

-100mV

M5413-MBA

4.280V

2.80V

250mV

-100mV

M5413-MBB

4.280V

2.80V

250mV

-100mV

M5413-NBA

4.380V

4.280V

2.60V

2.80V

150mV

-175mV

M5413-NBB

4.380V

4.280V

2.60V

2.80V

150mV

-175mV

M5413-OBA

4.400V

4.200V

2.80V

3.00V

150mV

-200mV

M5413-OBB

4.400V

4.200V

2.80V

3.00V

150mV

-200mV

M5413-OBC

4.400V

4.200V

2.80V

3.00V

150mV

-200mV

M5413-JB

4.275V

4.075V

2.80V

150mV

-100mV

M5413-KB

4.250V

4.190V

2.80V

3.00V

150mV

-100mV

M5413-PB

4.250V

4.190V

2.50V

3.00V

150mV

-100mV

M5413-RB

4.280V

4.130V

2.80V

3.10V

100mV

-100mV

M5413-SB

4.275V

4.075V

2.80V

3.00V

150mV

-100mV

备注：

1、表 2 中列出各电气参数的典型值，各电气参数的精度请参阅表 8。

2、延迟时间代码对应的延迟时间参数请参阅表 3；特性代码对应的其它功能特性请参阅表 4。

3、需要上述规格以外的产品时，请与本公司业务部联系。

M5413

1 节锂离子/锂聚合物电池保护 IC

HM5413 데이터시트(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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