vorläufige Daten

preliminary data

Technische Information / technical information

FS75R12KE3 G

IGBT-Module

IGBT-Modules

min.

typ.

max.

-

-

0,35

K/W

-

-

0,58

K/W

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

Innere Isolation

case, see appendix

3

300

225

6

g

weight

G

Gewicht

Innerer Wärmewiderstand; DC

thermal resistance, juncton to case; DC

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Diode Wechselrichter / diode inverter

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube M5

M

mounting torque

screw M5

CTI

internal insulation

°C

150

Gehäuse, siehe Anlage

-40

-

125

-

-

°C

maximum junction temperature

power dissipation

B-Wert

K/W

20

mW

-

3375

-

K

-

0,009

-

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Nennwiderstand

rated resistance

B-value

%

k

Ω

-

Nm

°C

-

-40

-

125

Lagertemperatur

storage temperature

pro Modul / per module

λ

operation temperature

Betriebstemperatur

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

Übergangs Wärmewiderstand

5

-

-

Verlustleistung

∆R/R

Thermische Eigenschaften / thermal properties

-5

-

-

5

3 (8)

Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls

2001-08-16