StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V

ISC028N03LF2S

Public

Datasheet

3

Revision 1.1

https://www.infineon.com

2024‑11‑25

1   Maximum ratings

at  =25 °C, unless otherwise specified

T

Table 2      Maximum ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit Note / Test condition

Min.

Typ.

Max.

Continuous drain current 1)

I

‑

‑

128 

90 

24

A

V =10 V,  =25 °C 

T

=10 V,  =100 °C 

V

T

=10 V,  =25 °C, 

=50 °C/W 

V

T

R

2)

Pulsed drain current 3)

I

‑

‑

512

A

T =25 °C

Avalanche energy, single pulse 4)

E

‑

‑

68 

136

mJ I =50 A,  =25 Ω 

R

=25 A,  =25 Ω

I

R

Gate source voltage

V

‑20

‑

20

V

‑

Power dissipation

P

‑

‑

83 

3.0

W

T =25 °C 

=25 °C, 

=50 °C/W 

T

R

2)

Operating and storage temperature

T , T

‑55

‑

175

°C

‑

    Rating refers to the product only with datasheet specified absolute maximum values, maintaining case temperature as 

1)

specified. For other case temperatures please refer to Diagram 2. De‑rating will be required based on the actual environmental 

conditions.

    Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm  (one layer, 70 μm thick) copper area for drain connection. PCB 

2)

2

is vertical in still air.

    See Diagram 3 for more detailed information

3)

    See Diagram 13 for more detailed information

4)

A

D

GS

C

GS

C

GS

A

THJA

D,pulse

C

AS

D

GS

D

GS

GS

tot

C

A

THJA

j

stg