RF302LB2S

Super Fast Recovery Diode

Data sheet

　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　 　

　　

　　

　　

　　

　　

　　　　　●Outline

VR

200

V

　 　 　

　

Io

3

A

　

　

IFSM

80

A

　

　

trr(Typ.)

16

ns

　

　

　

　 　 　

●Features

●Inner Circuit

Small power mold type

Low forward voltage

Low switching loss

●Application

●Packaging Specifications

General rectification

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

330

Taping Width(mm)

12

●Structure

Quantity(pcs)

3000

Silicon epitaxial planar

Taping Code

TBR1

　

Marking

77

●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃ unless otherwise specified)

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

Repetitive peak reverse voltage

VRM

Duty≦0.5

200

V

Reverse voltage

VR

Reverse direct voltage

200

V

Average rectified forward current

Io

60Hz half sin wavef orm

resistive load

Tc=118℃

3

A

Peak forward surge current

IFSM

60Hz half sin wavef orm,

Non-repetitive,Tj=25℃

80

A

Junction temperature

Tj

-

150

℃

Storage temperature

Tstg

-

-55 ～ 150

℃

　

●Electrical Characteristics

(Tｊ=25℃ unless otherwise specified)

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

　

Parameter

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Forward voltage

VF

IF=3A

0.72 0.84 0.92

V

Reverse current

IR

VR=200V

-

-

10

μA

Reverse recovery time

trr

IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25xIR

-

16

25

ns

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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2025/03/13_Rev.001