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F11F60CPM 데이터시트(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

부품명 F11F60CPM
상세설명  Power MOSFET
PDF  2 Pages
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제조업체  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
홈페이지  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

F11F60CPM 데이터시트(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
（MOSFET〈2010.
07〉）
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
０
１５
２２
２０
１０
５
０
１５
２０
２２
１０
５
出力特性
Typical Output Characteristics
０２４
１０
８
６
Tc=25℃
TYP
V
VＧＧSS==１０Ｖ
１０Ｖ
VＧS=１０Ｖ
８Ｖ
８Ｖ
８Ｖ
V
VＧＧSS=４Ｖ
=４Ｖ
VＧS=４Ｖ
V
VＧＧSS==５
５Ｖ
Ｖ
VＧS=５Ｖ
V
VＧＧSS==６
６Ｖ
Ｖ
VＧS=６Ｖ
Pulse measurement
伝達特性
Transfer Characteristics
０５
１０
２０
１５
VDS=20V
TYP
Ｔｃ=−５５
Ｔｃ=−５５℃
℃
２５
２５℃
℃
Ｔｃ=−５５℃
２５℃
Pulse measurement
１５０
 １５０℃
℃
１５０℃
１００
 １００℃
℃
１００℃
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
１
２
０．
０５
０．
１
５
０．
５
０．
２
０．
１ ０．
２
０．
５
２
１０
２２
５
１
VGS＝１０V
Tc＝２５℃
TYP
Pulse measurement
１０
１
０．
０１
０．
１
−５５
０
１００
１５０
５０
−５５
０
１００
１５０
５０
VGS＝１０V
Pulse test
TYP
Pulse measurement
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case
Temperature
５
０
４
３
２
１
VDS＝１０V
ID=１mA
TYP
Pulse measurement
安全動作領域
Safe Operating Area
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃｉｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃoｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
Ｃrｓｓ
１１
１００
３３
２２
０．
０１
１
０．
１
１０
１
６００
１００
Tc＝２５℃
Single pulse
RRDS
DS（
（on
on）
）
Restricted space
Restricted space
RDS（on）
Restricted space
DC
DC
DC
10ms
10ms
10ms
1ms
1ms
1ms
200μs
200μs
200μs
100μs
100μs
100μs
10μs
10μs
10μs
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Time t〔s〕
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
０
１００
６０
８０
４０
２０
全損失減少率─ケース温度
Power Derating - Case Temperature
０
２５
５０
７５
１２５
１５０
１００
０
１００
２００
３００
５００
６００
４００
VVＧＧSS
VＧS
VVDS
DS
VDS
０
１５
２０
１０
５
ゲートチャージ特性
０
４００
５００
３００
２００
１００
Gate Charge Characteristics
０８
１６
３２
４０
２４
ID=１１A
TYP
VVDD
DD
==４００
４００Ｖ
Ｖ
２００
２００Ｖ
Ｖ
１００
１００Ｖ
Ｖ
VDD=４００Ｖ
２００Ｖ
１００Ｖ
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Drain Current ID〔A〕
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Total Gate Charge Qg〔nC〕
θ
θjcjc
θjc
IIDD==５.
５.５
５A
A
ID=５.５A
１０-４
１０-５
１０-３
１０-２
１０-１ １００
１０２
１０１
F11F60CPM
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.



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