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4242DM 데이터시트(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

부품명 4242DM
상세설명  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
PDF  7 Pages
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제조업체  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
홈페이지  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

4242DM 데이터시트(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

  4242DM Datasheet HTML 1Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 4242DM Datasheet HTML 2Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 4242DM Datasheet HTML 3Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 4242DM Datasheet HTML 4Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 4242DM Datasheet HTML 5Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 4242DM Datasheet HTML 6Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 4242DM Datasheet HTML 7Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
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background image
R
3DD4242D(T/I/M)
版本：
201103B
6/6
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到环境的热阻
TO-92
Thermal Resistance Junction Case TO-92
Rth(j-a)
-
125
/W
℃
结到管壳的热阻
TO-251/TO-252
Thermal Resistance Junction Case TO-251/TO-252
Rth(j-c)
-
12.5
/W
℃
结到管壳的热阻
TO-126
Thermal Resistance Junction Case TO-126
Rth(j-c)
-
6.25
/W
℃
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（VBE=0）
VCES
700
V
集电极
—发射极直流电压
Collector- Emitter Voltage（IB=0）
VCEO
400
V
发射极
—基极直流电压
Emitter-Base Voltage
VEBO
9
V
最大集电极直流电流
Collector Current（DC）
IC
1.5
A
最大集电极脉冲电流
Collector Current（pulse）
ICP
3.0
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-92)
PC
1
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-251)
PC
10
W
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-126)
PC
20
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
℃
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
℃
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
V(BR)CEO
Ic=10mA,IB=0
400
470
-
V
V(BR)CBO
Ic=1mA,IB=0
700
800
-
V
V(BR)EBO
IE=1mA,Ic=0
9
16
-
V
ICBO
VCB=700V, IE=0
-
-
5
μA
ICEO
VCE=400V,IB=0
-
-
10
μA
IEBO
VEB=7V, IC=0
-
-
5
μA
VCE=10V, IC=100mA
10
20
30
-
hFE
VCE=5V, IC=1.5A
3.0
7.0
-
-
VCE(sat)
IC=0.5A, IB=100mA
-
0.2
0.8
V
VBE(sat)
IC=0.5A, IB=100mA
-
0.9
1.2
V
tf
-
-
0.7
μS
ts
VCC=24V IC=0.25A,IB1=-IB2=0.05A
-
-
5
μS
fT
VCE=10V, Ic=0.1A
4
-
-
MHz



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