MMBT7002K

MMBT7002K

N

N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate

N

Version 2011-02-01

Dimensions - Maße [mm]

1 = G

2 = S

3 = D

Power dissipation – Verlustleistung

350 mW

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

MMBT7002K

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung

60 V

Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung

dc

ESD

± 20 V

± 2 kV

Power dissipation – Verlustleistung

350 mW

Drain current continuos – Drainstrom (dc)

115 mA

Drain current pulsed – Drainstrom gepulst

800 mA

Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

150°C

-55…+150°C

© Diotec Semiconductor AG

http://www.diotec.com/

1

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9