BP104F datasheet(3/5 Pages) SIEMENS

부품명	BP104F

상세설명	Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter

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제조업체	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

홈페이지	http://www.siemens.com/

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BP 104 F

BP 104 FS

Semiconductor Group

3

1997-11-19

Kennwerte (

T

A = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Fotoempfindlichkeit

Spectral sensitivity

V

R = 5 V, Ee = 1 mW/cm

2

S

34 (

≥ 25)

µA

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

λ

S max

950

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von S

max

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of S

max

λ

780 ... 1100

nm

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

A

4.84

mm2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

L

× B

L

× W

2.20

× 2.20

mm

× mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

H

0.5

0.3 (BP 104 FS)

mm

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 60

Grad

deg.

Dunkelstrom,

V

R = 10 V

Dark current

I

R

2 (

≤ 30)

nA

Spektrale Fotoempfindlichkeit

Spectral sensitivity

Sλ

0.70

A/W

Quantenausbeute

Quantum yield

η

0.90

Electrons

Photon

Leerlaufspannung,

E

e = 0.5 mW/cm

2

Open-circuit voltage

V

O

330 (

≥ 250)

mV

Kurzschlußstrom,

E

e = 0.5 mW/cm

2

Short-circuit current

I

SC

17

µA

Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes

Rise and fall time of the photocurrent

R

L = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA

t

r, tf

20

ns

Durchlaßspannung,

I

F = 100 mA, E = 0

Forward voltage

V

F

1.3

V

Kapazität,

V

R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

C

0

48

pF

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