SFH331 datasheet(4/7 Pages) SIEMENS

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Semiconductor Group

1997-11-01

SFH 331

Kennwerte Fototransistor (TA = 25

oC,

λ = 950 nm)

Characteristics Phototransistor

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

S max

860

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

380 ... 1150

Bestrahlungsempfindliche Fläche

(∅ 240 µm)

Radiant sensitive area

(∅ 240 µm)

0.045

mm2

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

× B

0.45

× 0.45

× mm

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

0.5 ... 0.7

Halbwinkel

Half angle

ϕ± 60

Grad

degr.

Kapazität

Capacitance

VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

CCE

5.0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 25 V, E = 0

ICEO

1 (

≤ 200)

Fotostrom

Photocurrent

Ee = 0.1 mW/cm

2, V

CE = 5 V

IPCE

≥ 16

µA

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise time/Fall time

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

tr, tf

µs

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 µA, Ee = 0.1 mW/cm

VCEsat

150

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