2SH13 datasheet(2/8 Pages) HITACHI

2 / 8 page

Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit Test conditions

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter breakdown

V(BR)CES

600

—

IC = 100 µA, VGE = 0

voltage

———————————————————————————————————————————

Zero gate voltage collector

ICES

—

0.5

VCE = 600 V, VGE = 0

current

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter leak current

IGES

——±1

µA

VGE = ±20 V, VCE = 0

———————————————————————————————————————————

Gate to emitter cutoff current

VGE(off)

3.0

—

5.0

IC = 1 mA, VCE = 10 V

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation

VCE(sat)1

—

2.0

—

IC = 10 A, VGE = 15 V

voltage

———————————————————————————————————————————

Collector to emitter saturation

VCE(sat)2

—

2.6

3.3

IC = 20 A, VGE = 15 V

voltage

———————————————————————————————————————————

Input capacitance

Cies

—

1800

—

VCE = 10 V, VGE = 0,

f = 1 MHz

———————————————————————————————————————————

Switching time

—

130

—

IC = 20 A,

————————————————

ton

—

210

—

RL = 15 Ω,

————————————————

—

300

600

VGE = ±15 V

————————————————

toff

—

500

1000

Rg = 50

Ω

———————————————————————————————————————————

2SH13

2SH13 데이터시트(PDF) 2 Page - Hitachi Semiconductor

2SH13 데이터시트(HTML) 2 Page - Hitachi Semiconductor

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8

데이터시트 다운로드

링크 URL