LP2996LQ datasheet(11/18 Pages) NSC

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放熱 ( つづき)

FIGURE 4.

θJA vs Airflow Speed (JEDEC Board with 4

Vias)

θJA の最適化を行い、あわせて周囲温度が低い基板領域に

LP2996 を配置すれば、デバイスをより大きな消費電力で使用可

能になります。内部消費電力は主に、シンクかソースに依らない

VTT の出力電流、AVIN の待機時消費電流、VDDQ の待機時消

費電流といった 3 種類の損失の合計として求められます。シャッ

トダウンが LOW ではないアクティブ状態では、内部消費電力は

次の式で算出されます。

PD ＝ PAVIN ＋ PVDDQ ＋ PVTT

PAVIN ＝ IAVIN × VAVIN

PVDDQ ＝ VVDDQ × IVDDQ ＝ (VVDDQ)

2 ÷ RVDDQ

VTT の最大消費電力を求める場合、電流がシンク時とソース時

の両状態で VTT を検討する必要があります。ただし VTT はシン

クとソースの両方の状態を同時に採り得ないため、合計ではどち

らか 1 つの値のみを加算します。

PVTT ＝ VVTT × ILOAD ( シンク時 )

PVTT ＝ ( VPVIN − VVTT) × ILOAD ( ソース時 )

シャットダウン・ステートにある LP2996 の消費電力も計算可能で

す。VTT 出力は TRI-STATEとなりシンク電流もソース電流も流れ

ないため、電力計算において該当項は取り除いて考えます ( 漏

れ電流は無視できる )。シャットダウン中は、低減されてはいるもの

の AVIN の待機時消費電流と、VDDQ 端子に現れる一定のイン

ピーダンスにより、若干の損失が生じます。

PD ＝ PAVIN ＋ PVDDQ

PAVIN ＝ IAVIN × VAVIN

PVDDQ ＝ VVDDQ × IVDDQ ＝ (VVDDQ)2 ÷ RVDDQ

※ RVDDQ ＝ 50kΩ＋ 50kΩ

LP2996LQ 데이터시트(PDF) 11 Page - National Semiconductor (TI)