2N7002W 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	2N7002W(81) 검색 결과.
일치하는	S2N7002W(2) 2N7002W(28)
시작하는	2N7002W(23) 2N7002W-(8) 2N7002WA(3) 2N7002WG(3) 2N7002WL(3) 2N7002WT(6)
끝나는	2N7002W(4) E2N7002W(1) *M2N7002W(1)
포함하는	2N7002W(11) 2N7002WT(4) 2N7002W_(1)

제조업체

2N7002W 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "2N7002W" - Total : 66 ( 1/4 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Diodes Incorporated	2N7002W	68Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 4P-1
ON Semiconductor	2N7002W	71Kb/5P	Small Signal MOSFET April, 2015 ??Rev. 6
Diodes Incorporated	2N7002W	81Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 9 - 2
Diodes Incorporated	2N7002W	127Kb/3P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DS30099 Rev. 14 - 2
ON Semiconductor	2N7002W	107Kb/5P	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N?묬hannel, SC??0 April, 2007 ??Rev. 2
Fairchild Semiconductor	2N7002W	266Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2N7002W	332Kb/3P	Small Signal MOSFET
TRANSYS Electronics Lim...	2N7002W	112Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Micro Commercial Compon...	2N7002W	94Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Pan Jit International I...	2N7002W	161Kb/5P	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300m Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	187Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Unisonic Technologies	2N7002W	158Kb/3P	300mA, 60V N-CHANNEL POWER MOSFET
Micro Commercial Compon...	2N7002W	216Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
TECH PUBLIC Electronics...	2N7002W	1Mb/5P	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Formosa MS	2N7002W	121Kb/9P	SMD MOSFET
Yangzhou yangjie electr...	2N7002W	624Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Micro Commercial Compon...	2N7002W	196Kb/4P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Weitron Technology	2N7002W	104Kb/4P	N-Channel MOSFET
Fairchild Semiconductor	2N7002W	297Kb/6P	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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2N7002W 에 대한 간략한 설명

2N7002W는 N채널 MOSFET(Metal-Oxide-Oxide-Magnetic Conductor Field Effect Transistor)의 특정 모델입니다. MOSFET은 전자 회로에서 전자 신호를 제어하고 증폭하는 데 널리 사용됩니다. 2N7002W는 저전력 애플리케이션을 위해 설계되었으며 일반적으로 전환 및 확대/축소 목적.

다음은 2N7002W MOSFET의 몇 가지 주요 사양입니다.

트랜지스터 유형: N-채널 MOSFET
최대 드레인 소스 전압(VDS): 60V
최대 게이트 소스 전압(VGS): ±20V
최대 연속 드레인 전류(ID): 115mA
최대 전력 손실(PD): 360MW
문턱 전압(VTH): 일반적으로 약 1.5V
저항(RDS(ON)): 일반적으로 VGS=4.5V에서 약 5Ω

2N7002W MOSFET은 일반적으로 저전압 스위칭 애플리케이션에 사용됩니다. 낮은 임계 전압을 제공하므로 낮은 전압 신호로 쉽게 제어할 수 있습니다. 저항은 상대적으로 낮고 효과적으로 켜고 끌 수 있습니다.

모델 이름의 W는 일반적으로 MOSFET이 표면 실장 기술(SMT)용으로 설계되었으며 소형 아웃라인 패키지(SOT-323 또는 유사)로 제공됨을 나타냅니다.

2N7002W 대체품

2N7002W는 저전력 스위칭 응용 분야에서 일반적으로 사용되는 특정 유형의 N 채널 MOSFET(금속 산화물 산화물 전계 효과 트랜지스터)입니다. 동일한 부품 번호로 정확한 대체품을 쉽게 구할 수는 없지만 가능합니다. 기타 옵션. 다음은 2N7002W MOSFET에 대한 몇 가지 잠재적 대체품입니다.

BS170: BS170은 최대 드레인 전류가 500mA이고 최대 드레인 소스 전압이 60V인 N채널 MOSFET입니다. 2N7002W와 유사한 전기적 특성을 가지며 많은 저전력 스위칭 애플리케이션에서 대체품으로 사용할 수 있습니다.

BSS138: BSS138은 최대 드레인 전류가 200mA이고 최대 드레인 소스 전압이 50V인 또 다른 N채널 MOSFET입니다. 저전력 애플리케이션에 일반적으로 사용되며 일부 회로에서 2N7002W를 대체하는 것으로 간주할 수 있습니다.

IRF5305: IRF5305는 최대 드레인 전류가 31A이고 최대 드레인 소스 전압이 55V인 파워 MOSFET입니다. 더 높은 전류 처리 능력과 더 높은 정격 전압에도 불구하고 특정 회로 요구 사항에 따라 2N7002W를 대체하여 사용할 수 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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