BC337 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	BC337(236) 검색 결과.
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제조업체

BC337 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "BC337" - Total : 225 ( 1/12 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
ON Semiconductor	BC337	288Kb/7P	NPN Epitaxial Silicon Transistor September 2015 Rev. 1.5
NXP Semiconductors	BC337	47Kb/8P	NPN general purpose transistor 1999 Apr 15
Semtech Corporation	BC337	343Kb/5P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications???
STMicroelectronics	BC337	40Kb/4P	SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS Jun-2002
NXP Semiconductors	BC337	245Kb/19P	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors Rev. 06-17 November 2009
General Semiconductor	BC337	224Kb/5P	Small Signal Transistors (NPN)
Taiwan Semiconductor Co...	BC337	217Kb/4P	NPN Transistor
NXP Semiconductors	BC337	245Kb/19P	45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors Rev. 06-17 November 2009
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC337	203Kb/2P	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
ON Semiconductor	BC337	70Kb/5P	Amplifier Transistors NPN SILICON March, 2007 ??Rev. 6
	BC337	82Kb/6P	Amplifier Transistors July, 2004 ??Rev. 4
	BC337	65Kb/5P	Amplifier Transistors NPN Silicon September, 2005 ??Rev. 5
Unisonic Technologies	BC337	47Kb/2P	SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
Diotec Semiconductor	BC337	105Kb/2P	General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Weitron Technology	BC337	256Kb/4P	NPN General Purpose Transistor
Dc Components	BC337	215Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	BC337	167Kb/3P	NPN Plastic-Encapsulate Transistors
Diotec Semiconductor	BC337	140Kb/2P	Si-Epitaxial PlanarTransistors
Motorola, Inc	BC337	163Kb/4P	Amplifier Transistor
Micro Electronics	BC337	140Kb/2P	NPN SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BC337 에 대한 간략한 설명

BC337은 널리 사용되는 범용 NPN BJT(biphase-junction transistor)입니다. 다음은 BC337 트랜지스터에 대한 몇 가지 주요 세부 정보입니다.

트랜지스터 유형: BC337은 NPN(네거티브 포지티브 네거티브) 트랜지스터입니다. 가장 일반적인 트랜지스터 유형 중 하나입니다.

최고 등급:

수집기 기본 전압: 일반적으로 약 50V.
컬렉터 이미 터 전압: 일반적으로 약 45V.
송신기 기본 전압: 일반적으로 약 5V.
컬렉터 전류(연속): 일반적으로 약 800mA.
총 전력 손실: 일반적으로 약 625메가와트.
게인(HFE): BC337 트랜지스터의 전류 게인(DC 전류 게인 또는 베타(HFE)이라고도 함)은 일반적으로 100~630 범위입니다. 이것은 트랜지스터의 증폭 능력을 나타냅니다.

패키지 유형: BC337 트랜지스터는 일반적으로 TO-92, SOT-23 및 SOT-223과 같은 스루홀 패키지를 포함하여 다양한 패키지 유형으로 제공됩니다.

응용 분야: BC337 트랜지스터는 증폭기, 스위치, 신호 처리, 전압 조정 및 일반 스위칭을 포함한 광범위한 전자 회로 및 응용 분야에서 사용할 수 있습니다.

BC337 대체품

BC337은 저전력 증폭기 및 스위칭 회로에 일반적으로 사용되는 일반적으로 사용되는 NPN Biphase Junction Transistor(BJT)입니다. 최대 컬렉터 정격 전류는 800mA이고 최대 컬렉터 에미터 전압은 50V입니다.

다음은 BC337의 대안으로 사용할 수 있는 몇 가지 대체 NPN BJT입니다.

2N3904: 최대 컬렉터 정격 전류가 200mA이고 최대 컬렉터 이미터 전압이 40V인 범용 NPN BJT입니다. BC337과 유사한 전류 및 전압 등급을 가지므로 많은 저전력 애플리케이션에서 적합한 대체품이 됩니다. 2N3904는 일반적으로 스위칭 및 증폭기 회로에 사용됩니다.

PN2222A: 최대 컬렉터 정격 전류가 600mA이고 최대 컬렉터-트랜스미터 전압이 40V인 범용 NPN BJT입니다. BC337보다 정격 전류가 높기 때문에 일부 고전력 애플리케이션에서 적합한 대체품이 됩니다. PN2222A는 일반적으로 스위치 및 증폭기 회로에 사용됩니다.

MPSA18: 최대 콜렉터 정격 전류가 200mA이고 최대 콜렉터-트랜스미터 전압이 45V인 고이득 NPN BJT입니다. BC337과 비슷한 전류 및 전압 정격을 갖지만 게인이 더 높아 일부 증폭기 회로에서 적합한 대체품이 됩니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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