IRF1407 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF1407(18) 검색 결과.
일치하는	IRF1407(3) IIRF1407(1) IRF1407L(2) IRF1407S(2)
시작하는	IRF1407(14) IRF1407L(2) IRF1407P(3) IRF1407S(5)
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제조업체

IRF1407 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF1407" - Total : 17 ( 1/1 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
International Rectifier	IRF1407	127Kb/9P	Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A??
Inchange Semiconductor ...	IRF1407	338Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1407	271Kb/9P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF1407L	159Kb/11P	Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??
Inchange Semiconductor ...	IRF1407L	331Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Infineon Technologies A...	IRF1407LPbF	578Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET 2016-5-26
International Rectifier	IRF1407LPBF	258Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )
	IRF1407PBF	167Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF1407PBF	271Kb/9P	Advanced Process Technology
	IRF1407PBF	271Kb/9P	Advanced Process Technology
	IRF1407S	159Kb/11P	Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078?? Id = 100A??
Inchange Semiconductor ...	IRF1407S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
Infineon Technologies A...	IRF1407SPBF	578Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET 2016-5-26
International Rectifier	IRF1407SPBF	258Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )
	IRF1407SPBF	259Kb/12P	Advanced Process Technology
	IRF1407SPBF	259Kb/12P	Advanced Process Technology
Infineon Technologies A...	IRF1407STRLPbF	578Kb/12P	HEXFET짰 Power MOSFET 2016-5-26

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IRF1407 에 대한 간략한 설명

IRF1407은 고성능 및 고전력 애플리케이션을 위해 설계된 전력 MOSFET(금속 산화물-산화물 필드 트랜지스터)입니다. Infineon Technologies, Semiticductor 등을 포함한 다양한 반도체 제조업체에서 제조됩니다. 다음은 IRF1407의 몇 가지 주요 기능 및 사양입니다.

MOSFET 유형: IRF1407은 N채널 강화 모드 MOSFET입니다. 향상 모드 MOSFET에서는 공핍 모드 MOSFET과 달리 게이트 단자에 전압이 가해질 때 장치는 기본적으로 전압이 게이트에 가해질 때까지 꺼집니다.

전압 및 전류 정격: IRF1407은 일반적으로 약 75V의 드레인 소스 전압(VDS) 정격과 수십 암페어의 연속 드레인 전류(ID) 정격으로 작동하므로 고전력 애플리케이션에 적합합니다.

낮은 저항: IRF1407은 저항(RDS(ON))이 낮으므로 MOSFET이 완전히 켜졌을 때 전도 손실이 줄어듭니다. 이 기능은 효율적인 전력 변환 및 스위칭 애플리케이션에 중요합니다.

고속 스위칭: 낮은 게이트 전하와 고유 정전 용량을 갖춘 IRF1407은 고속 스위칭이 가능하므로 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 인버터와 같이 빠른 스위칭 주파수가 필요한 애플리케이션에 적합합니다.

TO-220 패키지: IRF1407은 일반적으로 TO-220 패키지로 제공됩니다. 이 패키지는 우수한 열 성능을 제공하고 고전력 애플리케이션의 냉각을 위해 방열판에 쉽게 장착할 수 있습니다.

응용 분야: IRF1407은 스위칭 조정기, DC-DC 변환기, 모터 제어 회로, 전력 증폭기 및 전자 계전기를 포함한 다양한 전자 회로 및 응용 분야에 일반적으로 사용됩니다.

게이트-소스 임계값 전압(VGS(Th)): 게이트 임계값 전압은 MOSFET을 켜기 위해 게이트와 소스 터미널 사이에 필요한 최소 전압을 지정합니다. 이 매개변수는 장치마다 다르므로 회로 설계 시 고려해야 합니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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