IRF3710 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF3710(40) 검색 결과.
일치하는	IRF3710(5) IIRF3710(1) IRF3710L(2) IRF3710S(2) IRF3710Z(4)
시작하는	IRF3710(28) IRF3710L(1) IRF3710P(3) IRF3710S(4) IRF3710Z*(12)
끝나는	No Data
포함하는	IRF3710(5)

제조업체

IRF3710 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF3710" - Total : 34 ( 1/2 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
International Rectifier	IRF3710	94Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A)
Nell Semiconductor Co.,...	IRF3710	346Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710	715Kb/8P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF3710	65Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
First Silicon Co., Ltd	IRF3710	280Kb/2P	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)
International Rectifier	IRF3710L	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710L	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710LPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
International Rectifier	IRF3710PBF	185Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
Thinki Semiconductor Co...	IRF3710PBF	1Mb/7P	57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
International Rectifier	IRF3710PBF	224Kb/8P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRF3710S	184Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
Inchange Semiconductor ...	IRF3710S	189Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF3710SPBF	279Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
	IRF3710SPBF	309Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRLPBF	297Kb/10P	Advanced Process Technology
	IRF3710STRRPBF	297Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF3710Z	270Kb/12P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF3710Z	4Mb/12P	Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF3710Z	339Kb/2P	N-Channel MOSFET Transistor

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IRF3710 에 대한 간략한 설명

IRF3710은 가전 및 산업용 전자 제품의 고속 스위칭 및 전력 제어 애플리케이션용으로 설계된 고성능 N채널 전력 MOSFET입니다. International Rectifier(현 Infineon Technologies)에서 제조한 IRF3710은 모터 드라이브, DC-DC 컨버터, 전원 공급 장치, 인버터 및 기타 고효율 전력 관리 시스템에 널리 사용됩니다.

이 소자는 100V의 드레인-소스 전압(V_DS)을 지원하며, 적절한 방열을 통해 최대 57A의 연속 드레인 전류를 처리할 수 있습니다. 약 0.02Ω의 매우 낮은 온 저항(R_DS(on))을 특징으로 하며, 이는 스위칭 애플리케이션에서 전도 손실을 줄이고 전반적인 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 속도와 낮은 게이트 전하량 덕분에 고주파 전력 변환 및 PWM 제어에 이상적입니다.

표준 TO-220 케이스에 패키징된 IRF3710은 탁월한 열 성능을 제공하며 스루홀 PCB 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 완전한 성능 향상을 위해서는 약 10V의 게이트 구동 전압이 필요하므로 대부분의 MOSFET 드라이버 IC 및 로직 레벨 제어 회로(적절한 인터페이싱 포함)와 호환됩니다.

전반적으로 IRF3710은 견고하고 효율적이며 널리 사용되는 N채널 MOSFET으로, 낮은 손실과 빠른 동작이 필수적인 중전력 및 고전력 스위칭 애플리케이션에 안정적인 솔루션을 제공합니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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