IRF510 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF510(34) 검색 결과.
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제조업체

IRF510 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF510" - Total : 34 ( 1/2 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Vishay Siliconix	IRF510	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510	158Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Analog Devices	IRF510	2Mb/13P	Analog Devices Wiki 7/12/22
Supertex, Inc	IRF510	70Kb/2P	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
Fairchild Semiconductor	IRF510	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Intersil Corporation	IRF510	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
International Rectifier	IRF510	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Harris Corporation	IRF510	71Kb/7P	4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated
Inchange Semiconductor ...	IRF510	45Kb/2P	isc N-Channel Mosfet Transistor
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF510	374Kb/5P	N-Channel Power Mosfets
SYC Electronica	IRF510	132Kb/6P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
List of Unclassifed Man...	IRF510	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF510-513	151Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
Fairchild Semiconductor	IRF510A	252Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRF510N	1Mb/8P	Power MOSFET 30-Jun-08
Vishay Siliconix	IRF510N	176Kb/9P	Power MOSFET 30-May-11
International Rectifier	IRF510N	175Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
Intersil Corporation	IRF510N	70Kb/7P	5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET November 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF510N	111Kb/2P	Repetitive Avalanche Rated

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IRF510 에 대한 간략한 설명

IRF510은 널리 사용되는 N채널 MOSFET 트랜지스터입니다. MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)는 소형 전자 장치부터 대형 전기 시스템에 이르기까지 다양한 장치에서 전자 신호를 증폭하거나 전환하는 데 사용되는 트랜지스터 유형입니다.

특히 IRF510은 구동 용이성, 상대적으로 높은 전류 처리 기능 및 효율성으로 잘 알려져 있습니다. 이는 스위칭 전원 공급 장치, 모터 제어, 인버터, 초퍼, 오디오 증폭기 및 고속 드라이브와 같은 애플리케이션에 자주 사용됩니다.

IRF510 MOSFET의 주요 기능은 다음과 같습니다.

VDS(드레인 소스 고장 전압): 일반적으로 약 100V의 최대 드레인 소스 전압을 처리할 수 있습니다. 즉, 고전압 요구 사항이 있는 회로에 사용할 수 있습니다.

ID(Continuous Drain Current): 드레인을 통해 지속적으로 흐를 수 있는 전류의 양을 지정하며 IRF510의 정격은 일반적으로 5.6a 정도입니다.

RDS(ON) (드레인 소스 저항): 트랜지스터가 켜져 있을 때 드레인과 소스 사이의 저항입니다. IRF510의 경우 이는 일반적으로 낮으므로 전력 소비 측면에서 효율적입니다.

VGS(TH)(게이트 임계값 전압): MOSFET이 켜지기 시작하는 전압입니다. IRF510의 경우 게이트 임계값 전압은 일반적으로 약 2V~4V입니다.

전력 소비: IRF510이 최대 연결 온도를 초과하지 않고 처리할 수 있는 최대 전력은 일반적으로 약 43와트로 많은 애플리케이션에 충분합니다.

구성: 풀홀 장착에 적합한 TO-220 패키지로 제공되므로 프로토타입 제작 및 생산에 쉽게 사용할 수 있습니다.

작동 온도: 일반적으로 -55°C ~ +175°C의 온도 범위에서 작동하며 다양한 환경에 적합한 범위를 제공합니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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