IRF540 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF540(107) 검색 결과.
일치하는	IRF540(18) IRF540A(3) IRF540D(1) IRF540F(1) IRF540I(1) IRF540N(7) IRF540S(5) IRF540Z(3)
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포함하는	IRF540(8)

제조업체

IRF540 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF540" - Total : 99 ( 1/5 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
NXP Semiconductors	IRF540	86Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF540	53Kb/6P	N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET Apr-1998
STMicroelectronics	IRF540	311Kb/8P	N-CHANNEL 100V - 0.055Ω - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™II POWER MOSFET Feb-2003
Vishay Siliconix	IRF540	1Mb/8P	Power MOSFET 16-Jun-08
	IRF540	282Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF540	156Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
Fairchild Semiconductor	IRF540	146Kb/5P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
International Rectifier	IRF540	177Kb/6P	HEXFET POWER MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540	6Mb/7P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF540	338Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	984Kb/3P	25A and 28A, 80V and 100V, 0.077 and 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	IRF540	103Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100 V
First Silicon Co., Ltd	IRF540	1Mb/4P	N -Channel Power MOSFET (100V/27A)
SYC Electronica	IRF540	259Kb/7P	N-CHANNEL 100V - 0.055 W - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540	308Kb/2P	N-Channel Power MOSFET
Nanjing International G...	IRF540	2Mb/7P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRF540	1Mb/5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
List of Unclassifed Man...	IRF540	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
Fairchild Semiconductor	IRF540A	256Kb/7P	Advanced Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF540A	280Kb/2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

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IRF540 에 대한 간략한 설명

IRF540은 고전력 스위칭 및 증폭 애플리케이션을 위한 전자 회로에 사용되는 인기 있는 전력 MOSFET(금속 산화물 전계 효과 트랜지스터)입니다. 이는 IRF 시리즈 전력 MOSFET의 일부이며 상대적으로 높은 처리량으로 알려져 있습니다. 전류 및 전압 기능 IRF540 MOSFET의 주요 기능과 사양은 다음과 같습니다.

극성: N 채널.

IRF540은 N채널 MOSFET입니다. 즉, 전자 흐름을 사용하여 전류를 전환하고 제어합니다.
배수 소스 전압(VDS): 일반적으로 100V.

MOSFET이 OFF 상태일 때 드레인과 소스 단자 사이에 인가할 수 있는 최대 전압입니다.
연속 배수 전류(ID): 일반적으로 정격은 33A입니다.

MOSFET이 해당 상태에서 지속적으로 처리할 수 있는 최대 전류입니다.
저항(RDS(ON)): 일반적으로 낮으며 일반적으로 MillioHm 범위입니다.

MOSFET이 완전히 켜졌을 때 드레인과 소스 단자 사이의 저항입니다.
게이트 임계값 전압(VGS(TH)): 일반적으로 약 2V~4V입니다.

MOSFET을 켜는 데 필요한 전압입니다.
VGS(게이트 소스 전압): 일반적으로 정격 ±20V입니다.

게이트와 소스 단자 사이에 인가할 수 있는 최대 전압입니다.
패키지: IRF540은 일반적으로 우수한 열 성능과 설치가 쉬운 공급 냉각 기능을 제공하는 TO-220 또는 TO-220AB 패키지로 제공됩니다.

애플리케이션: IRF540 MOSFET은 스위칭 전원 공급 장치, 모터 제어 회로, 증폭기 출력단 및 고전류 스위칭이 필요한 기타 애플리케이션과 같은 고전력 애플리케이션에 일반적으로 사용됩니다.

열 방출: IRF540은 작동 중에 열을 생성할 수 있으므로 고전력 애플리케이션의 경우 가열을 포함한 적절한 열 관리가 필요할 수 있습니다.

눈사태 에너지 등급: IRF540에는 과도 전압 스파이크 중에 MOSFET이 안전하게 흡수할 수 있는 에너지의 양을 지정하는 눈사태 에너지 등급이 있습니다.

IRF540 대체품

IRF540은 고전류 스위칭 애플리케이션에 일반적으로 사용되는 N채널 MOSFET으로, 최대 드레인-소스 전압 100V와 연속 드레인 전류 28A를 특징으로 합니다. 여러 MOSFET이 유사한 특성을 제공하며 대체 역할을 할 수 있습니다.

IRF540N:

IRF540의 향상된 버전으로 향상된 성능을 제공합니다.
최대 드레인-소스 전압: 100V.
연속 드레인 전류: 33A.
온 저항이 낮아져 효율이 높아집니다.
IRFZ44N:

비슷한 전압 및 전류 정격을 제공하는 N채널 MOSFET입니다.
최대 드레인-소스 전압: 55V.
연속 드레인 전류: 49A.
낮은 전압 정격; 애플리케이션과의 호환성을 보장합니다.
IRLZ44N:

저전압 게이트 구동에 적합한 로직 레벨 N채널 MOSFET입니다.
최대 드레인-소스 전압: 55V.
연속 드레인 전류: 47A.
마이크로컨트롤러와의 인터페이스에 이상적입니다.
STP55NF06:

비슷한 사양의 N채널 MOSFET.
최대 드레인-소스 전압: 60V.
연속 드레인 전류: 50A.
다양한 스위칭 애플리케이션에 적합합니다.
BUZ11:

비슷한 등급의 N채널 MOSFET.
최대 드레인-소스 전압: 50V.
연속 드레인 전류: 30A.
자동차 애플리케이션에 일반적으로 사용됩니다.
교체품을 선택할 때 다음 요소를 고려하십시오.

전압 및 전류 정격: 대체 MOSFET이 회로에서 필요한 전압 및 전류 레벨을 처리할 수 있는지 확인하십시오.
온 저항(R_DS(on)): 온 저항이 낮을수록 효율이 높아지고 열 발생이 줄어듭니다.
게이트 임계값 전압: 설계의 게이트 구동 전압이 MOSFET을 완전히 켜는 데 충분한지 확인하십시오.
패키지 유형 및 핀 구성: 실제 패키지와 핀아웃이 회로 레이아웃과 호환되는지 확인하십시오.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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