IRF540N 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF540N(32) 검색 결과.
일치하는	IRF540N(7) IRF540NL(4) IRF540NS(5)
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제조업체

IRF540N 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF540N" - Total : 32 ( 1/2 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
Intersil Corporation	IRF540N	126Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
International Rectifier	IRF540N	99Kb/8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540N	734Kb/8P	Advanced Process Technology
Fairchild Semiconductor	IRF540N	138Kb/10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET
Multicomp Pro	IRF540N	1Mb/5P	N Channel MOSFET 05/08/24 V1.0
Inchange Semiconductor ...	IRF540N	418Kb/3P	isc N-Channel MOSFET Transistor
List of Unclassifed Man...	IRF540N	2Mb/31P	SEMICONDUCTORS
International Rectifier	IRF540NL	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
International Rectifier	IRF540NL	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF540NL	1Mb/10P	Ultra Low On-Resistance
Inchange Semiconductor ...	IRF540NL	300Kb/2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF540NLPBF	284Kb/11P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NLPBF	284Kb/11P	Advanced Process Technology
	IRF540NPBF	149Kb/8P	HEXFET Power MOSFET
	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
VBsemi Electronics Co.,...	IRF540NPBF	984Kb/7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
International Rectifier	IRF540NPBF	159Kb/9P	Advanced Process Technology
	IRF540NS	125Kb/10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF540NS	274Kb/10P	HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF540N 에 대한 간략한 설명

IRF540N은 광범위한 전자 응용 분야, 특히 고전력 스위칭 및 증폭 회로에서 사용되는 것으로 알려진 인기 있는 N채널 전력 MOSFET(금속 산화물-산화물-자기 도체 전계 효과 트랜지스터)입니다. 다음은 몇 가지 핵심 사항입니다. IRF540N MOSFET의 기능 및 사양:

N채널 MOSFET: IRF540N은 N채널 MOSFET으로, 소스단을 기준으로 게이트 단자에 양의 전압을 가하면 전류가 흐른다는 의미입니다.

정격 전압: IRF540N은 일반적으로 특정 모델 및 제조업체에 따라 약 100V ~ 1000V의 높은 정격 전압을 갖습니다.

정격 전류: 모델에 따라 일반적으로 22a~33a 범위의 상대적으로 높은 연속 배수 전류를 처리할 수 있습니다.

저항(RDS(ON)): 일반적으로 RDS(ON)이라고 하는 저항은 일반적으로 낮습니다. 즉, MOSFET이 작동 상태에 있을 때 MOSFET 전체의 전압 강하가 최소화됩니다. 이로 인해 효율적인 전력 처리가 가능해집니다.

게이트 임계값 전압(VGS(Th)): 게이트 임계값 전압은 MOSFET을 켜는 데 필요한 전압입니다. IRF540N의 경우 이는 일반적으로 약 2V~4V입니다.

패키지: IRF540N은 일반적으로 우수한 열 성능을 제공하고 설치 공급 냉각을 용이하게 하는 TO-220 또는 TO-220AB 패키지로 제공됩니다.

애플리케이션: IRF540N은 전력 증폭기, 모터 제어, 스위칭 전원 공급 장치, 모터 드라이버 및 기타 고전력 전자 회로를 포함한 다양한 애플리케이션에 사용됩니다.

열 방출: IRF540N과 같은 MOSFET은 작동 중, 특히 고전류를 처리할 때 열을 생성할 수 있으므로 고전력 애플리케이션에는 가열을 포함한 적절한 열 관리가 필요할 수 있습니다.

보호 기능: IRF540N의 일부 변형에는 과전류 및 과도한 진동에 대한 보호와 같은 보호 기능이 내장되어 있을 수 있습니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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