IRF630 데이터시트, PDF - Datasheet Search Engine

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색인	IRF630(104) 검색 결과.
일치하는	IRF630(27) HIRF630(1) IRF630A(2) IRF630B(4) IRF630F(1) IRF630M(2) IRF630N(8) IRF630S(8)
시작하는	IRF630(70) IRF630F(4) IRF630M(4) IRF630N(26) IRF630P(5) IRF630S(6)
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포함하는	IRF630(1)

제조업체

IRF630 데이터시트, PDF

검색된 부품명 : Match&Start with "IRF630" - Total : 102 ( 1/6 Page)

제조업체	부품명	데이터시트	상세설명
NXP Semiconductors	IRF630	97Kb/9P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
STMicroelectronics	IRF630	104Kb/9P	N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET Feb-1999
Vishay Siliconix	IRF630	159Kb/8P	Power MOSFET 02-Aug-2021
	IRF630	283Kb/9P	Power MOSFET 21-Mar-11
	IRF630	579Kb/8P	Power MOSFET 21-Mar-11
STMicroelectronics	IRF630	190Kb/6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STMicroelectronics	IRF630	336Kb/14P	N-channel 200V - 0.35Ω - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay??II Power MOSFET 03-Aug-2006
TRANSYS Electronics Lim...	IRF630	141Kb/1P	Power MOSFET
International Rectifier	IRF630	176Kb/6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
Suntac Electronic Corp.	IRF630	137Kb/6P	POWER MOSFET
Advanced Power Electron...	IRF630	94Kb/4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Dc Components	IRF630	206Kb/2P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRF630	128Kb/1P	N-channel mosfet transistor
Comset Semiconductor	IRF630	106Kb/3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Kersemi Electronic Co.,...	IRF630	5Mb/8P	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
Nell Semiconductor Co.,...	IRF630	620Kb/7P	N-Channel Power MOSFET
New Jersey Semi-Conduct...	IRF630	854Kb/2P	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
	IRF630	106Kb/3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF630	62Kb/7P	9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs June 1999

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IRF630 에 대한 간략한 설명

IRF630은 전원 공급 장치, 모터 드라이버, DC-DC 컨버터, 오디오 증폭기 등 중전압 스위칭 및 증폭 애플리케이션에 사용하도록 설계된 N채널 전력 MOSFET입니다. International Rectifier(현 Infineon Technologies) 및 기타 공급업체에서 제조하는 IRF630은 산업용 및 가전제품 분야에서 뛰어난 신뢰성, 우수한 스위칭 속도, 그리고 다양한 성능으로 높은 평가를 받고 있습니다.

이 MOSFET은 드레인-소스 전압(V_DS)이 200V이며, 충분한 방열판이 설치된 경우 최대 9A의 연속 드레인 전류를 처리할 수 있습니다. 일반적인 온 저항(R_DS(on))은 약 0.4Ω으로, 스위칭 애플리케이션에서 전력 손실과 발열을 줄이는 데 도움이 됩니다. 빠른 스위칭 시간과 비교적 낮은 게이트 전하량을 갖춘 IRF630은 효율적인 전력 제어가 필요한 중간 속도의 회로에 적합합니다.

널리 사용되는 TO-220 케이스에 패키징된 IRF630은 견고한 열 성능을 제공하고 방열판에 쉽게 장착할 수 있어 적정 수준의 전력 소모 관리가 필요한 설계에 적합합니다. 로직 레벨 MOSFET은 아니지만, 더 높은 게이트 구동 전압(일반적으로 약 10V)을 사용할 수 있는 회로에서 잘 작동합니다.

전반적으로 IRF630은 다재다능하고 널리 사용되는 N채널 MOSFET으로, 다양한 전자 애플리케이션에서 중전압 및 중전류 스위칭 작업에 대한 신뢰성 있고 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.

*이 정보는 일반적인 정보 제공의 목적으로만 제공되며 위 정보로 인해 발생하는 손실이나 손해에 대해 책임을 지지 않습니다.

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